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Transistoren-FETs, MOSFETs-Arrays

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Electro-Films (EFI) / Vishay: - Das Produktportfolio von Vishay ist eine unübertroffene Sammlung von diskreten Halbleitern (Dioden, MOSFETs und Optoelektronik) und passiven Bauelementen (Widerstände, Induktivitäten und Kondensatoren). Diese Komponenten werden in nahezu allen Arten von elektronischen Geräten und Ausrüstungen...Details

SI4808DY-T1-GE3 Electro-Films (EFI) / Vishay Beschreibung:MOSFET 2N-CH 30V 5.7A 8SOIC
SI4946BEY-T1-E3 Electro-Films (EFI) / Vishay Beschreibung:MOSFET 2N-CH 60V 6.5A 8-SOIC
SIZ730DT-T1-GE3 Electro-Films (EFI) / Vishay Beschreibung:MOSFET 2N-CH 30V 16A 6-POWERPAIR
SI7212DN-T1-E3 Electro-Films (EFI) / Vishay Beschreibung:MOSFET 2N-CH 30V 4.9A 1212-8

AMI Semiconductor / ON Semiconductor: - ON Semiconductor (Nasdaq: ON) treibt energieeffiziente Innovationen voran und befähigt Kunden, den weltweiten Energieverbrauch zu reduzieren. Das Unternehmen bietet ein umfassendes Portfolio energieeffizienter Energie- und Signalmanagement-, Logik-, diskreter und kundenspezifischer Lösungen, die...Details

FDG6335N AMI Semiconductor / ON Semiconductor Beschreibung:MOSFET 2N-CH 20V 0.7A SOT-363
NDC7003P AMI Semiconductor / ON Semiconductor Beschreibung:MOSFET 2P-CH 60V 0.34A SSOT6
NVMFD5C672NLWFT1G AMI Semiconductor / ON Semiconductor Beschreibung:MOSFET 2N-CH 60V 49A S08FL
NDS9948 AMI Semiconductor / ON Semiconductor Beschreibung:MOSFET 2P-CH 60V 2.3A 8-SOIC

Diodes Incorporated: - Diodes Incorporated ist ein weltweit führender Hersteller und Anbieter von hochwertigen anwendungsspezifischen Standardprodukten für die Märkte für diskrete, logische, analoge und Mixed-Signal-Halbleiter. Im November 2015 wurde Pericom Semiconductor Teil von Diodes Incorporated, das sein Portf...Details

DMN601DWK-7 Diodes Incorporated Beschreibung:MOSFET 2N-CH 60V 0.305A SOT-363
DMHT6016LFJ-13 Diodes Incorporated Beschreibung:MOSFET 4 N-CH 14.8A VDFN5045-12
DMHC6070LSD-13 Diodes Incorporated Beschreibung:MOSFET 2N/2P-CHA 60V 3.1A 8SO
DMN3035LWN-7 Diodes Incorporated Beschreibung:MOSFET 2N-CH 30V 5.5A 8VDFN

International Rectifier (Infineon Technologies): Am 1. April 1999 wurde Siemens Semiconductors zu Infineon Technologies. Ein dynamischeres, flexibleres Unternehmen, das auf den Erfolg in der wettbewerbsintensiven, sich ständig verändernden Welt der Mikroelektronik ausgerichtet ist. Infineon ist ein weltweit führender Entwickler, Hersteller und ...Details

IPG20N04S412AATMA1 International Rectifier (Infineon Technologies) Beschreibung:MOSFET 2N-CH 8TDSON
AUIRF7341QTR International Rectifier (Infineon Technologies) Beschreibung:MOSFET 2N-CH 55V 5.1A 8SOIC
IPG20N10S4L22AATMA1 International Rectifier (Infineon Technologies) Beschreibung:MOSFET 2N-CH 100V 20A TDSON-8
BSC0910NDIATMA1 International Rectifier (Infineon Technologies) Beschreibung:MOSFET 2N-CH 25V 16A/31A TISON8

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: SI4946BEY-T1-E3; Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay; Beschreibung: MOSFET 2N-CH 60V 6.5A 8-SOIC; vorrätig: 59974 pcs; Herunterladen: SI4946BEY-T1-E3.pdf; RFQ

: SIZ730DT-T1-GE3; Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay; Beschreibung: MOSFET 2N-CH 30V 16A 6-POWERPAIR; vorrätig: 151001 pcs; Herunterladen: SIZ730DT-T1-GE3.pdf; RFQ

: SP8K24FU6TB; Hersteller: LAPIS Semiconductor; Beschreibung: MOSFET 2N-CH 45V 6A 8SOIC; vorrätig: 82220 pcs; Herunterladen: SP8K24FU6TB.pdf; RFQ

: IPG20N04S412AATMA1; Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies); Beschreibung: MOSFET 2N-CH 8TDSON; vorrätig: 213172 pcs; Herunterladen: IPG20N04S412AATMA1.pdf; RFQ

: SI7212DN-T1-E3; Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay; Beschreibung: MOSFET 2N-CH 30V 4.9A 1212-8; vorrätig: 34544 pcs; Herunterladen: SI7212DN-T1-E3.pdf; RFQ

: DMN601DWK-7; Hersteller: Diodes Incorporated; Beschreibung: MOSFET 2N-CH 60V 0.305A SOT-363; vorrätig: 566686 pcs; Herunterladen: DMN601DWK-7.pdf; RFQ

: DMHT6016LFJ-13; Hersteller: Diodes Incorporated; Beschreibung: MOSFET 4 N-CH 14.8A VDFN5045-12; vorrätig: 46162 pcs; Herunterladen: DMHT6016LFJ-13.pdf; RFQ

: FDG6335N; Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor; Beschreibung: MOSFET 2N-CH 20V 0.7A SOT-363; vorrätig: 412627 pcs; Herunterladen: FDG6335N.pdf; RFQ

: DMHC6070LSD-13; Hersteller: Diodes Incorporated; Beschreibung: MOSFET 2N/2P-CHA 60V 3.1A 8SO; vorrätig: 226406 pcs; Herunterladen: DMHC6070LSD-13.pdf; RFQ

: DMN3035LWN-7; Hersteller: Diodes Incorporated; Beschreibung: MOSFET 2N-CH 30V 5.5A 8VDFN; vorrätig: 435845 pcs; Herunterladen: DMN3035LWN-7.pdf; RFQ

: NDC7003P; Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor; Beschreibung: MOSFET 2P-CH 60V 0.34A SSOT6; vorrätig: 506069 pcs; Herunterladen: NDC7003P.pdf; RFQ

: NVMFD5C672NLWFT1G; Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor; Beschreibung: MOSFET 2N-CH 60V 49A S08FL; vorrätig: 153580 pcs; Herunterladen: NVMFD5C672NLWFT1G.pdf; RFQ

: VMM650-01F; Hersteller: IXYS Corporation; Beschreibung: MOSFET 2N-CH 100V 680A Y3-LI; vorrätig: 491 pcs; Herunterladen: VMM650-01F.pdf; RFQ

: DMC25D0UVT-7; Hersteller: Diodes Incorporated; Beschreibung: MOSFET N/P-CH 25V/30V TSOT26; vorrätig: 530019 pcs; Herunterladen: DMC25D0UVT-7.pdf; RFQ

: SSM6N68NU,LF; Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage; Beschreibung: SMALL LOW RON DUAL NCH MOSFETS H; vorrätig: 184597 pcs; Herunterladen: SSM6N68NU,LF.pdf; RFQ

: SIR770DP-T1-GE3; Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay; Beschreibung: MOSFET 2N-CH 30V 8A PPAK SO-8; vorrätig: 60762 pcs; Herunterladen: SIR770DP-T1-GE3.pdf; RFQ

: SP8J5FU6TB; Hersteller: LAPIS Semiconductor; Beschreibung: MOSFET 2P-CH 30V 7A 8SOIC; vorrätig: 86714 pcs; Herunterladen:; RFQ

: DMC2990UDJ-7; Hersteller: Diodes Incorporated; Beschreibung: MOSFET N/P-CH 20V SOT963; vorrätig: 167531 pcs; Herunterladen: DMC2990UDJ-7.pdf; RFQ

: CSD88584Q5DCT; Hersteller: N/A; Beschreibung: MOSFET 2 N-CH 40V 22-VSON-CLIP; vorrätig: 21899 pcs; Herunterladen:; RFQ

: CSD85302L; Hersteller: N/A; Beschreibung: MOSFET 2N-CH 20V 5A; vorrätig: 128318 pcs; Herunterladen:; RFQ

: SI4948BEY-T1-E3; Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay; Beschreibung: MOSFET 2P-CH 60V 2.4A 8-SOIC; vorrätig: 57437 pcs; Herunterladen: SI4948BEY-T1-E3.pdf; RFQ

: NDS9948; Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor; Beschreibung: MOSFET 2P-CH 60V 2.3A 8-SOIC; vorrätig: 229462 pcs; Herunterladen: NDS9948.pdf; RFQ

: MTM684110LBF; Hersteller: Panasonic; Beschreibung: MOSFET 2P-CH 12V 4.8A WMINI8-F1; vorrätig: 85283 pcs; Herunterladen: MTM684110LBF.pdf; RFQ

: ALD110908PAL; Hersteller: Advanced Linear Devices, Inc.; Beschreibung: MOSFET 2N-CH 10.6V 8DIP; vorrätig: 37470 pcs; Herunterladen: ALD110908PAL.pdf; RFQ

: SI6968BEDQ-T1-GE3; Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay; Beschreibung: MOSFET 2N-CH 20V 5.2A 8-TSSOP; vorrätig: 408576 pcs; Herunterladen: SI6968BEDQ-T1-GE3.pdf; RFQ

: AUIRF7341QTR; Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies); Beschreibung: MOSFET 2N-CH 55V 5.1A 8SOIC; vorrätig: 115736 pcs; Herunterladen: AUIRF7341QTR.pdf; RFQ

: SSM6N56FE,LM; Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage; Beschreibung: MOSFET 2N-CH 20V 0.8A; vorrätig: 900072 pcs; Herunterladen: SSM6N56FE,LM.pdf; RFQ

: NTMFD4C20NT3G; Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor; Beschreibung: MOSFET 2N-CH 30V SO8FL; vorrätig: 241632 pcs; Herunterladen: NTMFD4C20NT3G.pdf; RFQ

: NVMFD5852NLT1G; Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor; Beschreibung: MOSFET 2N-CH 40V 15A SO8FL; vorrätig: 49216 pcs; Herunterladen: NVMFD5852NLT1G.pdf; RFQ

: SIZ914DT-T1-GE3; Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay; Beschreibung: MOSFET 2N-CH 30V 16A PWRPAIR; vorrätig: 50839 pcs; Herunterladen: SIZ914DT-T1-GE3.pdf; RFQ

: FDMC9430L-F085; Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor; Beschreibung: MOSFET 2 N-CHANNEL 40V 12A 8MLP; vorrätig: 66354 pcs; Herunterladen: FDMC9430L-F085.pdf; RFQ

: SQJ570EP-T1_GE3; Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay; Beschreibung: MOSFET N/P-CH 100V POWERPAK SO8; vorrätig: 195441 pcs; Herunterladen: SQJ570EP-T1_GE3.pdf; RFQ

: IPG20N10S4L22AATMA1; Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies); Beschreibung: MOSFET 2N-CH 100V 20A TDSON-8; vorrätig: 132870 pcs; Herunterladen: IPG20N10S4L22AATMA1.pdf; RFQ

: BSC0910NDIATMA1; Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies); Beschreibung: MOSFET 2N-CH 25V 16A/31A TISON8; vorrätig: 91169 pcs; Herunterladen: BSC0910NDIATMA1.pdf; RFQ

: SI1016X-T1-GE3; Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay; Beschreibung: MOSFET N/P-CH 20V SC89-6; vorrätig: 178875 pcs; Herunterladen: SI1016X-T1-GE3.pdf; RFQ

: DMTH4011SPDQ-13; Hersteller: Diodes Incorporated; Beschreibung: MOSFETDUAL N-CHANPOWERDI5060-8; vorrätig: 76357 pcs; Herunterladen: DMTH4011SPDQ-13.pdf; RFQ

: DMN3032LFDBQ-7; Hersteller: Diodes Incorporated; Beschreibung: MOSFET 2N-CH 30V 6.2A U-DFN2020; vorrätig: 172448 pcs; Herunterladen: DMN3032LFDBQ-7.pdf; RFQ

: 2N7002DWH6327XTSA1; Hersteller: Infineon Technologies; Beschreibung: MOSFET 2N-CH 60V 0.3A SOT363; vorrätig: 1778242 pcs; Herunterladen: 2N7002DWH6327XTSA1.pdf; RFQ

: SQJ560EP-T1_GE3; Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay; Beschreibung: MOSFET DUAL N P CH 60V PPAK SO-8; vorrätig: 151069 pcs; Herunterladen: SQJ560EP-T1_GE3.pdf; RFQ

: SQJ980AEP-T1_GE3; Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay; Beschreibung: MOSFET 2 N-CH 75V POWERPAK SO8; vorrätig: 185611 pcs; Herunterladen: SQJ980AEP-T1_GE3.pdf; RFQ

: IPG20N04S4L08ATMA1; Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies); Beschreibung: MOSFET 2N-CH 8TDSON; vorrätig: 141945 pcs; Herunterladen: IPG20N04S4L08ATMA1.pdf; RFQ

: NVMFD5875NLWFT1G; Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor; Beschreibung: MOSFET 2N-CH 60V 7A SO8FL; vorrätig: 166788 pcs; Herunterladen: NVMFD5875NLWFT1G.pdf; RFQ

: FDC6506P; Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor; Beschreibung: MOSFET 2P-CH 30V 1.8A SSOT6; vorrätig: 118111 pcs; Herunterladen: FDC6506P.pdf; RFQ

: AO6802; Hersteller: Alpha and Omega Semiconductor, Inc.; Beschreibung: MOSFET 2N-CH 30V 3.5A 6-TSOP; vorrätig: 544324 pcs; Herunterladen: AO6802.pdf; RFQ

: DMC4015SSD-13; Hersteller: Diodes Incorporated; Beschreibung: MOSFET N/P-CH 40V 8.6A/6.5A 8-SO; vorrätig: 187358 pcs; Herunterladen: DMC4015SSD-13.pdf; RFQ

: BSL214NH6327XTSA1; Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies); Beschreibung: MOSFET 2N-CH 20V 1.5A 6TSOP; vorrätig: 431756 pcs; Herunterladen: BSL214NH6327XTSA1.pdf; RFQ

: EPC2101ENGRT; Hersteller: EPC; Beschreibung: TRANS GAN ASYMMETRICAL HALF BRID; vorrätig: 11400 pcs; Herunterladen: EPC2101ENGRT.pdf; RFQ

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