Transistoren-IGBTs-Module
Empfohlene Hersteller
- Microsemi
- - Microsemi Corporation (Nasdaq: MSCC) bietet ein umfassendes Portfolio an Halbleiter- und Systemlösungen für die Luft- und Raumfahrt-, Kommunikations-, Rechenzentrums- und Industriemärkte. Zu den Produkten gehören hochleistungsfähige und strahlungsgehärtete analoge Mixed-Signal-ICs, FPGAs, So...Details
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APTGT100H60T3G
Microsemi
Beschreibung:IGBT FULL BRIDGE 600V 150A SP3
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APTGT300A170G
Microsemi
Beschreibung:IGBT PHASE TRENCH FIELD STOP SP6
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APTGT400A60D3G
Microsemi
Beschreibung:POWER MOD IGBT TRENCH PH LEG D3
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APT75GT120JU2
Microsemi
Beschreibung:IGBT 1200V 100A 416W SOT227
- International Rectifier (Infineon Technologies)
- Am 1. April 1999 wurde Siemens Semiconductors zu Infineon Technologies. Ein dynamischeres, flexibleres Unternehmen, das auf den Erfolg in der wettbewerbsintensiven, sich ständig verändernden Welt der Mikroelektronik ausgerichtet ist. Infineon ist ein weltweit führender Entwickler, Hersteller und ...Details
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FF900R12IP4BOSA2
International Rectifier (Infineon Technologies)
Beschreibung:IGBT MODULE 1200V 900A
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BSM200GB60DLCHOSA1
International Rectifier (Infineon Technologies)
Beschreibung:IGBT MODULE 600V 230A
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FF200R06KE3HOSA1
International Rectifier (Infineon Technologies)
Beschreibung:IGBT MODULE 600V 200A
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FP75R12KT4B11BOSA1
International Rectifier (Infineon Technologies)
Beschreibung:IGBT MODULE 1200V 75A
- Hamlin / Littelfuse
- - Littelfuse (NASDAQ: LFUS) - Als weltweit führender Anbieter von Schaltkreisschutzlösungen bietet Littelfuse Produkte der Marken POWR-GARD®, Teccor®, Wickmann®, Pudenz®, Hamlin®, PulseGuard®, SIDACtor®, PolySwitch, 2Pro und PolyZen an eine breite Palette von Technologien wie Sicherungen un...Details
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MG12100D-BA1MM
Hamlin / Littelfuse
Beschreibung:IGBT 1200V 160A 1000W PKG D
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MG0675S-BN4MM
Hamlin / Littelfuse
Beschreibung:IGBT 600V 100A 250W PKG S
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MG1225H-XN2MM
Hamlin / Littelfuse
Beschreibung:IGBT MOD 1200V 25A PKG H CRCT:X
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MG12400D-BN2MM
Hamlin / Littelfuse
Beschreibung:IGBT 1200V 580A 1925W PKG D
- Global Power Technologies Group
- - Die 2007 gegründete Global Power Technologies Group, Inc. ("GPTG") ist ein integriertes Entwicklungs- und Produktionsunternehmen, das sich auf Produkte basierend auf Siliziumcarbid (SiC) -Technologien spezialisiert hat. Diese Produkte werden in den kommenden Jahren für die Leistungselektronik un...Details
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GHIS060A120S-A1
Global Power Technologies Group
Beschreibung:IGBT BOOST CHP 1200V 120A SOT227
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GHIS080A060S-A2
Global Power Technologies Group
Beschreibung:IGBT BUCK CHOP 600V 160A SOT227
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GHIS040A060S-A1
Global Power Technologies Group
Beschreibung:IGBT BOOST CHOP 600V 80A SOT227
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GSID200A120S5C1
Global Power Technologies Group
Beschreibung:IGBT MODULE 1200V 335A
- IXYS Corporation
- - Die IXYS Corporation bietet eine breite Palette von Hochleistungshalbleitern, darunter Leistungs-MOSFETs mit niedrigem Einschaltwiderstand, ultraschnell schaltende IGBTs, FREDs (Fast Recovery Diode), SCR- und Diodenmodule, Gleichrichterbrücken und Leistungsschnittstellen-ICs. Details
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IXGN200N60B3
IXYS Corporation
Beschreibung:IGBT 300A 600V SOT-227B
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IXGN320N60A3
IXYS Corporation
Beschreibung:IGBT 600V SOT-227B
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IXYN100N120C3H1
IXYS Corporation
Beschreibung:IGBT XPT 1200V 134A SOT-227B
- STMicroelectronics
- - STMicroelectronics ist ein weltweit unabhängiges Halbleiterunternehmen und führend bei der Entwicklung und Lieferung von Halbleiterlösungen für das gesamte Spektrum der Mikroelektronik. Eine unübertroffene Kombination von Silizium- und System-Know-how, Fertigungsstärke, IP-Portfolio und stra...Details
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A1P35S12M3-F
STMicroelectronics
Beschreibung:IGBT TRENCH 1200V 35A ACEPACK1
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A2C35S12M3
STMicroelectronics
Beschreibung:IGBT TRENCH 1200V 35A ACEPACK2
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A2C35S12M3-F
STMicroelectronics
Beschreibung:IGBT TRENCH 1200V 35A ACEPACK2