Transistoren-IGBTs-Einzel
Empfohlene Hersteller
- STMicroelectronics
- - STMicroelectronics ist ein weltweit unabhängiges Halbleiterunternehmen und führend bei der Entwicklung und Lieferung von Halbleiterlösungen für das gesamte Spektrum der Mikroelektronik. Eine unübertroffene Kombination von Silizium- und System-Know-how, Fertigungsstärke, IP-Portfolio und stra...Details
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STGB10M65DF2
STMicroelectronics
Beschreibung:IGBT 650V 10A D2PAK
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STGWT80H65DFB
STMicroelectronics
Beschreibung:IGBT 650V 120A 469W TO3P-3L
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STGW50NC60W
STMicroelectronics
Beschreibung:IGBT 600V 100A 285W TO247
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STGW60H65F
STMicroelectronics
Beschreibung:IGBT 650V 120A 360W TO247
- IXYS Corporation
- - Die IXYS Corporation bietet eine breite Palette von Hochleistungshalbleitern, darunter Leistungs-MOSFETs mit niedrigem Einschaltwiderstand, ultraschnell schaltende IGBTs, FREDs (Fast Recovery Diode), SCR- und Diodenmodule, Gleichrichterbrücken und Leistungsschnittstellen-ICs. Details
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IXGH50N90B2D1
IXYS Corporation
Beschreibung:IGBT 900V 75A 400W TO247AD
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IXYH30N170C
IXYS Corporation
Beschreibung:1700V/108A HIGH VOLTAGE XPT IGB
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IXBF32N300
IXYS Corporation
Beschreibung:IGBT 3000V 40A 160W ISOPLUSI4
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IXBH20N300
IXYS Corporation
Beschreibung:IGBT 3000V 50A 250W TO247
- International Rectifier (Infineon Technologies)
- Am 1. April 1999 wurde Siemens Semiconductors zu Infineon Technologies. Ein dynamischeres, flexibleres Unternehmen, das auf den Erfolg in der wettbewerbsintensiven, sich ständig verändernden Welt der Mikroelektronik ausgerichtet ist. Infineon ist ein weltweit führender Entwickler, Hersteller und ...Details
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IGP30N60H3XKSA1
International Rectifier (Infineon Technologies)
Beschreibung:IGBT 600V 60A 187W TO220-3
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IRG4BC40UPBF
International Rectifier (Infineon Technologies)
Beschreibung:IGBT 600V 40A 160W TO220AB
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IRGP30B60KD-EP
International Rectifier (Infineon Technologies)
Beschreibung:IGBT 600V 60A 304W TO247AD
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IRGS30B60KTRRP
International Rectifier (Infineon Technologies)
Beschreibung:IGBT 600V 78A 370W D2PAK
- AMI Semiconductor / ON Semiconductor
- - ON Semiconductor (Nasdaq: ON) treibt energieeffiziente Innovationen voran und befähigt Kunden, den weltweiten Energieverbrauch zu reduzieren. Das Unternehmen bietet ein umfassendes Portfolio energieeffizienter Energie- und Signalmanagement-, Logik-, diskreter und kundenspezifischer Lösungen, die...Details
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NGTB25N120FL2WG
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Beschreibung:IGBT 1200V 25A TO247-3
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NGTB60N65FL2WG
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Beschreibung:650V/60A IGBT FSII
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NGTG50N60FWG
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Beschreibung:IGBT 600V 100A 223W TO247
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NGTB40N60FLWG
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Beschreibung:IGBT 600V 80A 257W TO247
- Renesas Electronics America
- - Renesas Electronics America entwickelt und fertigt hochintegrierte Halbleitersystemlösungen für Automobil-, Mobilfunk- und PC / AV-Märkte. Am 1. April 2003 als Joint Venture zwischen Hitachi, Ltd. und der Mitsubishi Electric Corporation mit Sitz in Tokio, Japan, gegründet, ist Renesas eines de...Details
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RJH60D7ADPK-00#T0
Renesas Electronics America
Beschreibung:IGBT 600V 90A 300W TO-3P
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RJP60F4DPM-00#T1
Renesas Electronics America
Beschreibung:IGBT 600V 60A 41.2W TO-3PFM
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RJH60M1DPE-00#J3
Renesas Electronics America
Beschreibung:IGBT 600V 16A 52W LDPAK
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RJP60D0DPK-00#T0
Renesas Electronics America
Beschreibung:IGBT 600V 45A 140W TO-3P