Transistoren-IGBTs-Einzel
Empfohlene Hersteller
- AMI Semiconductor / ON Semiconductor
- - ON Semiconductor (Nasdaq: ON) treibt energieeffiziente Innovationen voran und befähigt Kunden, den weltweiten Energieverbrauch zu reduzieren. Das Unternehmen bietet ein umfassendes Portfolio energieeffizienter Energie- und Signalmanagement-, Logik-, diskreter und kundenspezifischer Lösungen, die...Details
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FGP20N60UFDTU
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Beschreibung:IGBT 600V 40A 165W TO220
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FGA40S65SH
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Beschreibung:650V FS GEN3 TRENCH IGBT
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HGTG20N60A4
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Beschreibung:IGBT 600V 70A 290W TO247
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FGL60N100BNTD
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Beschreibung:IGBT 1000V 60A 180W TO264
- International Rectifier (Infineon Technologies)
- Am 1. April 1999 wurde Siemens Semiconductors zu Infineon Technologies. Ein dynamischeres, flexibleres Unternehmen, das auf den Erfolg in der wettbewerbsintensiven, sich ständig verändernden Welt der Mikroelektronik ausgerichtet ist. Infineon ist ein weltweit führender Entwickler, Hersteller und ...Details
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AIKW50N60CTXKSA1
International Rectifier (Infineon Technologies)
Beschreibung:IC DISCRETE 600V TO247-3
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IRG4PC40UD-EPBF
International Rectifier (Infineon Technologies)
Beschreibung:IGBT 600V 40A 160W TO247AD
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IGW30N60TPXKSA1
International Rectifier (Infineon Technologies)
Beschreibung:IGBT 600V 53A TO247-3
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IRG4PC30FDPBF
International Rectifier (Infineon Technologies)
Beschreibung:IGBT 600V 31A 100W TO247AC
- STMicroelectronics
- - STMicroelectronics ist ein weltweit unabhängiges Halbleiterunternehmen und führend bei der Entwicklung und Lieferung von Halbleiterlösungen für das gesamte Spektrum der Mikroelektronik. Eine unübertroffene Kombination von Silizium- und System-Know-how, Fertigungsstärke, IP-Portfolio und stra...Details
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STGWT60H65FB
STMicroelectronics
Beschreibung:IGBT 650V 80A 375W TO3P-3L
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STGFL6NC60D
STMicroelectronics
Beschreibung:IGBT 600V 7A 22W TO220FP
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STGW40NC60WD
STMicroelectronics
Beschreibung:IGBT 600V 70A 250W TO247
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STGP19NC60KD
STMicroelectronics
Beschreibung:IGBT 600V 35A 125W TO220
- IXYS Corporation
- - Die IXYS Corporation bietet eine breite Palette von Hochleistungshalbleitern, darunter Leistungs-MOSFETs mit niedrigem Einschaltwiderstand, ultraschnell schaltende IGBTs, FREDs (Fast Recovery Diode), SCR- und Diodenmodule, Gleichrichterbrücken und Leistungsschnittstellen-ICs. Details
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IXBT20N360HV
IXYS Corporation
Beschreibung:IGBT 3600V 70A TO-268HV
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IXGR48N60C3D1
IXYS Corporation
Beschreibung:IGBT 600V 56A 125W ISOPLUS247
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IXXX300N60B3
IXYS Corporation
Beschreibung:IGBT 600V 550A 2300W TO247
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IXYH50N65C3
IXYS Corporation
Beschreibung:IGBT 650V 130A 600W TO247
- LAPIS Semiconductor
- - ROHM wurde 1958 in Kyoto, Japan, gegründet. ROHM entwickelt und produziert Halbleiter, integrierte Schaltkreise und andere elektronische Komponenten. Diese Komponenten finden in den dynamischen und ständig wachsenden Märkten für drahtlose, Computer-, Automobil- und Unterhaltungselektronik ein ...Details
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RGTV00TK65DGC11
LAPIS Semiconductor
Beschreibung:650V 50A FIELD STOP TRENCH IGBT
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RGT80TS65DGC11
LAPIS Semiconductor
Beschreibung:IGBT 650V 70A 234W TO-247N
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RGTH00TS65DGC11
LAPIS Semiconductor
Beschreibung:IGBT 650V 85A 277W TO-247N
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RGTV00TS65GC11
LAPIS Semiconductor
Beschreibung:650V 50A FIELD STOP TRENCH IGBT
- Microsemi
- - Microsemi Corporation (Nasdaq: MSCC) bietet ein umfassendes Portfolio an Halbleiter- und Systemlösungen für die Luft- und Raumfahrt-, Kommunikations-, Rechenzentrums- und Industriemärkte. Zu den Produkten gehören hochleistungsfähige und strahlungsgehärtete analoge Mixed-Signal-ICs, FPGAs, So...Details
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APT50GN120L2DQ2G
Microsemi
Beschreibung:IGBT 1200V 134A 543W TO264
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APT75GN60BG
Microsemi
Beschreibung:IGBT 600V 155A 536W TO247
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APT36GA60B
Microsemi
Beschreibung:IGBT 600V 65A 290W TO-247