Transistoren-IGBTs-Einzel
Empfohlene Hersteller
- AMI Semiconductor / ON Semiconductor
- - ON Semiconductor (Nasdaq: ON) treibt energieeffiziente Innovationen voran und befähigt Kunden, den weltweiten Energieverbrauch zu reduzieren. Das Unternehmen bietet ein umfassendes Portfolio energieeffizienter Energie- und Signalmanagement-, Logik-, diskreter und kundenspezifischer Lösungen, die...Details
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FGH60N60UFDTU-F085
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Beschreibung:IGBT 600V 120A 298W TO247
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FGH12040WD-F155
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Beschreibung:1200V 40A FS2 TRENCH IGBT
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FGH50T65SQD-F155
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Beschreibung:650V FS4 TRENCH IGBT
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FGY75N60SMD
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Beschreibung:IGBT 600V 150A 750W POWER-247
- International Rectifier (Infineon Technologies)
- Am 1. April 1999 wurde Siemens Semiconductors zu Infineon Technologies. Ein dynamischeres, flexibleres Unternehmen, das auf den Erfolg in der wettbewerbsintensiven, sich ständig verändernden Welt der Mikroelektronik ausgerichtet ist. Infineon ist ein weltweit führender Entwickler, Hersteller und ...Details
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IGW50N65F5FKSA1
International Rectifier (Infineon Technologies)
Beschreibung:IGBT 650V 80A 305W PG-TO247-3
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IRGB4061DPBF
International Rectifier (Infineon Technologies)
Beschreibung:IGBT 600V 36A 206W TO220AB
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AIKW30N60CTXKSA1
International Rectifier (Infineon Technologies)
Beschreibung:IC DISCRETE 600V TO247-3
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IRG7PH46UD-EP
International Rectifier (Infineon Technologies)
Beschreibung:IGBT 1200V 108A COPAK247
- STMicroelectronics
- - STMicroelectronics ist ein weltweit unabhängiges Halbleiterunternehmen und führend bei der Entwicklung und Lieferung von Halbleiterlösungen für das gesamte Spektrum der Mikroelektronik. Eine unübertroffene Kombination von Silizium- und System-Know-how, Fertigungsstärke, IP-Portfolio und stra...Details
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STGWA80H65FB
STMicroelectronics
Beschreibung:IGBT 650V 120A 469W TO247
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STGW10M65DF2
STMicroelectronics
Beschreibung:TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT M SE
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STGF20M65DF2
STMicroelectronics
Beschreibung:IGBT TRENCH 650V 40A TO220FP
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STGF30H60DF
STMicroelectronics
Beschreibung:IGBT 600V 60A 37W TO220FP
- IXYS Corporation
- - Die IXYS Corporation bietet eine breite Palette von Hochleistungshalbleitern, darunter Leistungs-MOSFETs mit niedrigem Einschaltwiderstand, ultraschnell schaltende IGBTs, FREDs (Fast Recovery Diode), SCR- und Diodenmodule, Gleichrichterbrücken und Leistungsschnittstellen-ICs. Details
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IXYX120N120C3
IXYS Corporation
Beschreibung:IGBT 1200V 240A 1500W PLUS247
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IXYA50N65C3
IXYS Corporation
Beschreibung:IGBT 650V 130A 600W TO263
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IXGK75N250
IXYS Corporation
Beschreibung:IGBT 2500V 170A 780W TO264
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IXYH24N170C
IXYS Corporation
Beschreibung:IGBT 1.7KV 58A TO247-3
- Microsemi
- - Microsemi Corporation (Nasdaq: MSCC) bietet ein umfassendes Portfolio an Halbleiter- und Systemlösungen für die Luft- und Raumfahrt-, Kommunikations-, Rechenzentrums- und Industriemärkte. Zu den Produkten gehören hochleistungsfähige und strahlungsgehärtete analoge Mixed-Signal-ICs, FPGAs, So...Details
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APT40GP90BG
Microsemi
Beschreibung:IGBT 900V 100A 543W TO247
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APT45GP120BG
Microsemi
Beschreibung:IGBT 1200V 100A 625W TO247
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APT50GN120B2G
Microsemi
Beschreibung:IGBT 1200V 134A 543W TO-247
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APT50GT60BRG
Microsemi
Beschreibung:IGBT 600V 110A 446W TO247
- Renesas Electronics America
- - Renesas Electronics America entwickelt und fertigt hochintegrierte Halbleitersystemlösungen für Automobil-, Mobilfunk- und PC / AV-Märkte. Am 1. April 2003 als Joint Venture zwischen Hitachi, Ltd. und der Mitsubishi Electric Corporation mit Sitz in Tokio, Japan, gegründet, ist Renesas eines de...Details
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RJH60D7DPQ-E0#T2
Renesas Electronics America
Beschreibung:IGBT 600V 90A 300W TO-247
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RJH60V2BDPP-M0#T2
Renesas Electronics America
Beschreibung:IGBT 600V 25A 34W TO-220FL
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RJH60F6DPK-00#T0
Renesas Electronics America
Beschreibung:IGBT 600V 85A 297.6W TO-3P
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RJH60A83RDPN-E0#T2
Renesas Electronics America
Beschreibung:IGBT 600V 20A TO-220AB