FCP850N80Z

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Produktübersicht

Artikelnummer:	FCP850N80Z
Hersteller / Marke:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Produktbeschreibung	MOSFET N-CH 800V 8A
Datenblätte:	FCP850N80Z.pdf
RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Zustand des Lagers	31948 pcs stock
Liefern von	Hongkong
Versandweg	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 31948 pcs

Referenzpreis (in US-Dollar)

1 pcs: $1.015

10 pcs: $0.918

100 pcs: $0.737

800 pcs: $0.518

1600 pcs: $0.475

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Spezifikationen von FCP850N80Z

Artikelnummer	FCP850N80Z	Hersteller	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Beschreibung	MOSFET N-CH 800V 8A	Bleifreier Status / RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge	31948 pcs	Datenblatt	FCP850N80Z.pdf
VGS (th) (Max) @ Id	4.5V @ 600µA	Vgs (Max)	±20V
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Supplier Device-Gehäuse	TO-220
Serie	SuperFET® II	Rds On (Max) @ Id, Vgs	850 mOhm @ 3A, 10V
Verlustleistung (max)	136W (Tc)	Verpackung	Tube
Verpackung / Gehäuse	TO-220-3	Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Through Hole	Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status	Lead free / RoHS Compliant	Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	1315pF @ 100V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	29nC @ 10V	Typ FET	N-Channel
FET-Merkmal	-	Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)	800V	detaillierte Beschreibung	N-Channel 800V 8A (Tc) 136W (Tc) Through Hole TO-220
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	8A (Tc)

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Nach dem Verkauf
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(NUR FÜR integrierte Schaltungen, Schaltungsschutz, HF / ZF und RFID, Optoelektronik, Sensoren, Wandler, Transformatoren, Isolatoren, Schalter, Relais)

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DHL	www.DHL.com	Die Grundgebühr für den Versand von 35,00 $ hängt von der Zone und dem Land ab.
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★ Lieferzeit dauert 2-4 Tage in die meisten Länder der Welt durch DHL / UPS / FEDEX / TNT.

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