FDD3510H

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Produktübersicht

Artikelnummer:	FDD3510H
Hersteller / Marke:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Produktbeschreibung	MOSFET N/P-CH 80V 4.3A/2.8A DPAK
Datenblätte:	FDD3510H.pdf
RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Zustand des Lagers	64788 pcs stock
Liefern von	Hongkong
Versandweg	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 64788 pcs

Referenzpreis (in US-Dollar)

1 pcs: $0.467

10 pcs: $0.415

100 pcs: $0.328

500 pcs: $0.255

1000 pcs: $0.201

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Spezifikationen von FDD3510H

Artikelnummer	FDD3510H	Hersteller	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Beschreibung	MOSFET N/P-CH 80V 4.3A/2.8A DPAK	Bleifreier Status / RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge	64788 pcs	Datenblatt	FDD3510H.pdf
VGS (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA	Supplier Device-Gehäuse	TO-252-4L
Serie	PowerTrench®	Rds On (Max) @ Id, Vgs	80 mOhm @ 4.3A, 10V
Leistung - max	1.3W	Verpackung	Original-Reel®
Verpackung / Gehäuse	TO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD	Andere Namen	FDD3510HDKR
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)	Befestigungsart	Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	1 (Unlimited)	Bleifreier Status / RoHS-Status	Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	800pF @ 40V	Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	18nC @ 10V
Typ FET	N and P-Channel, Common Drain	FET-Merkmal	Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (Vdss)	80V	detaillierte Beschreibung	Mosfet Array N and P-Channel, Common Drain 80V 4.3A, 2.8A 1.3W Surface Mount TO-252-4L
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	4.3A, 2.8A

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