FDD3570

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Produktübersicht

Artikelnummer:	FDD3570
Hersteller / Marke:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Produktbeschreibung	MOSFET N-CH 80V 10A D-PAK
Datenblätte:	FDD3570.pdf
RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Zustand des Lagers	5685 pcs stock
Liefern von	Hongkong
Versandweg	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 5685 pcs

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Spezifikationen von FDD3570

Artikelnummer	FDD3570	Hersteller	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Beschreibung	MOSFET N-CH 80V 10A D-PAK	Bleifreier Status / RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge	5685 pcs	Datenblatt	FDD3570.pdf
VGS (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA	Vgs (Max)	±20V
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Supplier Device-Gehäuse	TO-252
Serie	PowerTrench®	Rds On (Max) @ Id, Vgs	20 mOhm @ 10A, 10V
Verlustleistung (max)	3.4W (Ta), 69W (Tc)	Verpackung	Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount	Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status	Lead free / RoHS Compliant	Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	2800pF @ 40V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	76nC @ 10V	Typ FET	N-Channel
FET-Merkmal	-	Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	6V, 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)	80V	detaillierte Beschreibung	N-Channel 80V 10A (Ta) 3.4W (Ta), 69W (Tc) Surface Mount TO-252
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	10A (Ta)

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