FDD3690

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Produktübersicht

Artikelnummer:	FDD3690
Hersteller / Marke:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Produktbeschreibung	MOSFET N-CH 100V 22A D-PAK
Datenblätte:	FDD3690.pdf
RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Zustand des Lagers	61011 pcs stock
Liefern von	Hongkong
Versandweg	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 61011 pcs

Referenzpreis (in US-Dollar)

1 pcs: $0.587

10 pcs: $0.519

100 pcs: $0.41

500 pcs: $0.318

1000 pcs: $0.251

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Spezifikationen von FDD3690

Artikelnummer	FDD3690	Hersteller	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Beschreibung	MOSFET N-CH 100V 22A D-PAK	Bleifreier Status / RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge	61011 pcs	Datenblatt	FDD3690.pdf
VGS (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA	Vgs (Max)	±20V
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Supplier Device-Gehäuse	D-PAK (TO-252AA)
Serie	PowerTrench®	Rds On (Max) @ Id, Vgs	64 mOhm @ 5.4A, 10V
Verlustleistung (max)	3.8W (Ta), 60W (Tc)	Verpackung	Cut Tape (CT)
Verpackung / Gehäuse	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Andere Namen	FDD3690CT
Betriebstemperatur	-55°C ~ 175°C (TJ)	Befestigungsart	Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	1 (Unlimited)	Bleifreier Status / RoHS-Status	Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	1514pF @ 50V	Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	39nC @ 10V
Typ FET	N-Channel	FET-Merkmal	-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	6V, 10V	Drain-Source-Spannung (Vdss)	100V
detaillierte Beschreibung	N-Channel 100V 22A (Tc) 3.8W (Ta), 60W (Tc) Surface Mount D-PAK (TO-252AA)	Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	22A (Tc)

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