FDS6900AS

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Produktübersicht

Artikelnummer:	FDS6900AS
Hersteller / Marke:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Produktbeschreibung	MOSFET 2N-CH 30V 6.9A/8.2A 8SOIC
Datenblätte:	FDS6900AS.pdf
RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Zustand des Lagers	196651 pcs stock
Liefern von	Hongkong
Versandweg	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 196651 pcs

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Spezifikationen von FDS6900AS

Artikelnummer	FDS6900AS	Hersteller	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Beschreibung	MOSFET 2N-CH 30V 6.9A/8.2A 8SOIC	Bleifreier Status / RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge	196651 pcs	Datenblatt	FDS6900AS.pdf
VGS (th) (Max) @ Id	3V @ 250µA	Supplier Device-Gehäuse	8-SO
Serie	PowerTrench®, SyncFET™	Rds On (Max) @ Id, Vgs	27 mOhm @ 6.9A, 10V
Leistung - max	900mW	Verpackung	Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	Andere Namen	FDS6900AS-ND FDS6900ASTR
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)	Befestigungsart	Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	1 (Unlimited)	Bleifreier Status / RoHS-Status	Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	600pF @ 15V	Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	15nC @ 10V
Typ FET	2 N-Channel (Dual)	FET-Merkmal	Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (Vdss)	30V	detaillierte Beschreibung	Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 6.9A, 8.2A 900mW Surface Mount 8-SO
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	6.9A, 8.2A

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