FQB33N10TM

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Produktübersicht

Artikelnummer:	FQB33N10TM
Hersteller / Marke:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Produktbeschreibung	MOSFET N-CH 100V 33A D2PAK
Datenblätte:	FQB33N10TM.pdf
RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Zustand des Lagers	61776 pcs stock
Liefern von	Hongkong
Versandweg	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 61776 pcs

Referenzpreis (in US-Dollar)

1 pcs: $0.622

10 pcs: $0.551

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Spezifikationen von FQB33N10TM

Artikelnummer	FQB33N10TM	Hersteller	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Beschreibung	MOSFET N-CH 100V 33A D2PAK	Bleifreier Status / RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge	61776 pcs	Datenblatt	FQB33N10TM.pdf
VGS (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA	Vgs (Max)	±25V
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Supplier Device-Gehäuse	D²PAK (TO-263AB)
Serie	QFET®	Rds On (Max) @ Id, Vgs	52 mOhm @ 16.5A, 10V
Verlustleistung (max)	3.75W (Ta), 127W (Tc)	Verpackung	Cut Tape (CT)
Verpackung / Gehäuse	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	Andere Namen	FQB33N10TMCT
Betriebstemperatur	-55°C ~ 175°C (TJ)	Befestigungsart	Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	1 (Unlimited)	Bleifreier Status / RoHS-Status	Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	1500pF @ 25V	Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	51nC @ 10V
Typ FET	N-Channel	FET-Merkmal	-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	10V	Drain-Source-Spannung (Vdss)	100V
detaillierte Beschreibung	N-Channel 100V 33A (Tc) 3.75W (Ta), 127W (Tc) Surface Mount D²PAK (TO-263AB)	Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	33A (Tc)

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