MUN5111DW1T1G

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Produktübersicht

Artikelnummer:	MUN5111DW1T1G
Hersteller / Marke:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Produktbeschreibung	TRANS 2PNP PREBIAS 0.25W SOT363
Datenblätte:	MUN5111DW1T1G.pdf
RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Zustand des Lagers	417204 pcs stock
Liefern von	Hongkong
Versandweg	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 417204 pcs

Referenzpreis (in US-Dollar)

1 pcs: $0.088

10 pcs: $0.071

100 pcs: $0.037

500 pcs: $0.025

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Spezifikationen von MUN5111DW1T1G

Artikelnummer	MUN5111DW1T1G	Hersteller	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Beschreibung	TRANS 2PNP PREBIAS 0.25W SOT363	Bleifreier Status / RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge	417204 pcs	Datenblatt	MUN5111DW1T1G.pdf
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max)	50V	VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic	250mV @ 300µA, 10mA
Transistor-Typ	2 PNP - Pre-Biased (Dual)	Supplier Device-Gehäuse	SC-88/SC70-6/SOT-363
Serie	-	Widerstand - Emitterbasis (R2)	10 kOhms
Widerstand - Basis (R1)	10 kOhms	Leistung - max	250mW
Verpackung	Cut Tape (CT)	Verpackung / Gehäuse	6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Andere Namen	MUN5111DW1T1GOSCT	Befestigungsart	Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	1 (Unlimited)	Bleifreier Status / RoHS-Status	Lead free / RoHS Compliant
Frequenz - Übergang	-	detaillierte Beschreibung	Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250mW Surface Mount SC-88/SC70-6/SOT-363
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE	35 @ 5mA, 10V	Strom - Collector Cutoff (Max)	500nA
Strom - Kollektor (Ic) (max)	100mA	Basisteilenummer	MUN51**DW1T

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