NDF10N60ZH

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Produktübersicht

Artikelnummer:	NDF10N60ZH
Hersteller / Marke:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Produktbeschreibung	MOSFET N-CH 600V 10A TO-220FP
Datenblätte:	NDF10N60ZH.pdf
RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Zustand des Lagers	3071 pcs stock
Liefern von	Hongkong
Versandweg	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 3071 pcs

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Spezifikationen von NDF10N60ZH

Artikelnummer	NDF10N60ZH	Hersteller	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Beschreibung	MOSFET N-CH 600V 10A TO-220FP	Bleifreier Status / RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge	3071 pcs	Datenblatt	NDF10N60ZH.pdf
VGS (th) (Max) @ Id	4.5V @ 100µA	Vgs (Max)	±30V
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Supplier Device-Gehäuse	TO-220FP
Serie	-	Rds On (Max) @ Id, Vgs	750 mOhm @ 5A, 10V
Verlustleistung (max)	39W (Tc)	Verpackung	Tube
Verpackung / Gehäuse	TO-220-3 Full Pack	Andere Namen	NDF10N60ZH-ND NDF10N60ZHOS
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)	Befestigungsart	Through Hole
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	1 (Unlimited)	Bleifreier Status / RoHS-Status	Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	1645pF @ 25V	Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	68nC @ 10V
Typ FET	N-Channel	FET-Merkmal	-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	10V	Drain-Source-Spannung (Vdss)	600V
detaillierte Beschreibung	N-Channel 600V 10A (Tc) 39W (Tc) Through Hole TO-220FP	Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	10A (Tc)

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