NDFPD1N150CG

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Produktübersicht

Artikelnummer:	NDFPD1N150CG
Hersteller / Marke:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Produktbeschreibung	MOSFET N-CH 1500V 100MA TO220
Datenblätte:	NDFPD1N150CG.pdf
RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Zustand des Lagers	52753 pcs stock
Liefern von	Hongkong
Versandweg	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 52753 pcs

Referenzpreis (in US-Dollar)

1 pcs: $0.611

50 pcs: $0.518

100 pcs: $0.441

500 pcs: $0.363

1000 pcs: $0.30

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Spezifikationen von NDFPD1N150CG

Artikelnummer	NDFPD1N150CG	Hersteller	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Beschreibung	MOSFET N-CH 1500V 100MA TO220	Bleifreier Status / RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge	52753 pcs	Datenblatt	NDFPD1N150CG.pdf
VGS (th) (Max) @ Id	-	Vgs (Max)	±30V
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Supplier Device-Gehäuse	TO-220-3
Serie	-	Rds On (Max) @ Id, Vgs	150 Ohm @ 50mA, 10V
Verlustleistung (max)	2W (Ta), 20W (Tc)	Verpackung	Tube
Verpackung / Gehäuse	TO-220-3 Full Pack	Andere Namen	NDFPD1N150CGOS
Betriebstemperatur	150°C (TJ)	Befestigungsart	Through Hole
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	1 (Unlimited)	Bleifreier Status / RoHS-Status	Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	80pF @ 30V	Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	4.2nC @ 10V
Typ FET	N-Channel	FET-Merkmal	-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	10V	Drain-Source-Spannung (Vdss)	1500V
detaillierte Beschreibung	N-Channel 1500V 100mA (Ta) 2W (Ta), 20W (Tc) Through Hole TO-220-3	Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	100mA (Ta)

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Nach dem Verkauf
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