NGTB40N65IHRTG

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Produktübersicht

Artikelnummer:	NGTB40N65IHRTG
Hersteller / Marke:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Produktbeschreibung	650V/40A RC IGBT
Datenblätte:	NGTB40N65IHRTG.pdf
RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Zustand des Lagers	27988 pcs stock
Liefern von	Hongkong
Versandweg	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 27988 pcs

Referenzpreis (in US-Dollar)

1 pcs: $1.068

30 pcs: $0.904

120 pcs: $0.77

510 pcs: $0.632

1020 pcs: $0.524

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Spezifikationen von NGTB40N65IHRTG

Artikelnummer	NGTB40N65IHRTG	Hersteller	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Beschreibung	650V/40A RC IGBT	Bleifreier Status / RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge	27988 pcs	Datenblatt	NGTB40N65IHRTG.pdf
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max)	650V	VCE (on) (Max) @ Vge, Ic	1.7V @ 15V, 40A
Testbedingung	400V, 40A, 10 Ohm, 15V	Td (ein / aus) bei 25 ° C	-
Schaltenergie	420µJ (off)	Supplier Device-Gehäuse	TO-3P
Serie	-	Leistung - max	405W
Verpackung	Tube	Verpackung / Gehäuse	TO-3P-3, SC-65-3
Andere Namen	NGTB40N65IHRTGOS	Betriebstemperatur	-40°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart	Through Hole	Bleifreier Status / RoHS-Status	Lead free / RoHS Compliant
Eingabetyp	Standard	IGBT-Typ	Trench Field Stop
Gate-Ladung	190nC	detaillierte Beschreibung	IGBT Trench Field Stop 650V 80A 405W Through Hole TO-3P
Strom - Collector Pulsed (Icm)	160A	Strom - Kollektor (Ic) (max)	80A

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