SMMJT350T1G

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Produktübersicht

Artikelnummer:	SMMJT350T1G
Hersteller / Marke:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Produktbeschreibung	TRANS PNP 300V 0.5A SOT223
Datenblätte:	SMMJT350T1G.pdf
RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Zustand des Lagers	620072 pcs stock
Liefern von	Hongkong
Versandweg	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 620072 pcs

Referenzpreis (in US-Dollar)

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Spezifikationen von SMMJT350T1G

Artikelnummer	SMMJT350T1G	Hersteller	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Beschreibung	TRANS PNP 300V 0.5A SOT223	Bleifreier Status / RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge	620072 pcs	Datenblatt	SMMJT350T1G.pdf
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max)	300V	VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic	-
Transistor-Typ	PNP	Supplier Device-Gehäuse	SOT-223 (TO-261)
Serie	-	Leistung - max	650mW
Verpackung	Tape & Reel (TR)	Verpackung / Gehäuse	TO-261-4, TO-261AA
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)	Befestigungsart	Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	1 (Unlimited)	Bleifreier Status / RoHS-Status	Lead free / RoHS Compliant
Frequenz - Übergang	-	detaillierte Beschreibung	Bipolar (BJT) Transistor PNP 300V 500mA 650mW Surface Mount SOT-223 (TO-261)
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE	30 @ 50mA, 10V	Strom - Collector Cutoff (Max)	100nA (ICBO)
Strom - Kollektor (Ic) (max)	500mA

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