SI6562CDQ-T1-GE3

Electro-Films (EFI) / Vishay

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Produktübersicht

Artikelnummer:	SI6562CDQ-T1-GE3
Hersteller / Marke:	Electro-Films (EFI) / Vishay
Produktbeschreibung	MOSFET N/P-CH 20V 6.7A 8-TSSOP
Datenblätte:	SI6562CDQ-T1-GE3.pdf
RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Zustand des Lagers	72214 pcs stock
Liefern von	Hongkong
Versandweg	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 72214 pcs

Referenzpreis (in US-Dollar)

1 pcs: $0.439

10 pcs: $0.39

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500 pcs: $0.239

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Spezifikationen von SI6562CDQ-T1-GE3

Artikelnummer	SI6562CDQ-T1-GE3	Hersteller	Electro-Films (EFI) / Vishay
Beschreibung	MOSFET N/P-CH 20V 6.7A 8-TSSOP	Bleifreier Status / RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge	72214 pcs	Datenblatt	SI6562CDQ-T1-GE3.pdf
VGS (th) (Max) @ Id	1.5V @ 250µA	Supplier Device-Gehäuse	8-TSSOP
Serie	TrenchFET®	Rds On (Max) @ Id, Vgs	22 mOhm @ 5.7A, 4.5V
Leistung - max	1.6W, 1.7W	Verpackung	Cut Tape (CT)
Verpackung / Gehäuse	8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)	Andere Namen	SI6562CDQ-T1-GE3CT
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)	Befestigungsart	Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	1 (Unlimited)	Bleifreier Status / RoHS-Status	Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	850pF @ 10V	Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	23nC @ 10V
Typ FET	N and P-Channel	FET-Merkmal	Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (Vdss)	20V	detaillierte Beschreibung	Mosfet Array N and P-Channel 20V 6.7A, 6.1A 1.6W, 1.7W Surface Mount 8-TSSOP
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	6.7A, 6.1A	Basisteilenummer	SI6562

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