SIHG17N80E-GE3

Electro-Films (EFI) / Vishay

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Produktübersicht

Artikelnummer:	SIHG17N80E-GE3
Hersteller / Marke:	Electro-Films (EFI) / Vishay
Produktbeschreibung	MOSFET N-CH 800V 15A TO247AC
Datenblätte:	SIHG17N80E-GE3.pdf
Zustand des Lagers	13683 pcs stock
Liefern von	Hongkong
Versandweg	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 13683 pcs

Referenzpreis (in US-Dollar)

1 pcs: $2.202

10 pcs: $1.965

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Spezifikationen von SIHG17N80E-GE3

Artikelnummer	SIHG17N80E-GE3	Hersteller	Electro-Films (EFI) / Vishay
Beschreibung	MOSFET N-CH 800V 15A TO247AC	Bleifreier Status / RoHS Status
Verfügbare Menge	13683 pcs	Datenblatt	SIHG17N80E-GE3.pdf
VGS (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA	Vgs (Max)	±30V
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Supplier Device-Gehäuse	TO-247AC
Serie	E	Rds On (Max) @ Id, Vgs	290 mOhm @ 8.5A, 10V
Verlustleistung (max)	208W (Tc)	Verpackung / Gehäuse	TO-247-3
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)	Befestigungsart	Through Hole
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	1 (Unlimited)	Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	2408pF @ 100V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	122nC @ 10V	Typ FET	N-Channel
FET-Merkmal	-	Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)	800V	detaillierte Beschreibung	N-Channel 800V 15A (Tc) 208W (Tc) Through Hole TO-247AC
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	15A (Tc)

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