IXFH6N100F

IXYS RF

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Produktübersicht

Artikelnummer:	IXFH6N100F
Hersteller / Marke:	IXYS RF
Produktbeschreibung	MOSFET N-CH 1000V 6A TO247
Datenblätte:	IXFH6N100F.pdf
RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Zustand des Lagers	8027 pcs stock
Liefern von	Hongkong
Versandweg	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 8027 pcs

Referenzpreis (in US-Dollar)

1 pcs: $3.565

30 pcs: $2.923

120 pcs: $2.638

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Spezifikationen von IXFH6N100F

Artikelnummer	IXFH6N100F	Hersteller	IXYS RF
Beschreibung	MOSFET N-CH 1000V 6A TO247	Bleifreier Status / RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge	8027 pcs	Datenblatt	IXFH6N100F.pdf
VGS (th) (Max) @ Id	5.5V @ 2.5mA	Vgs (Max)	±20V
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Supplier Device-Gehäuse	TO-247 (IXFH)
Serie	HiPerRF™	Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.9 Ohm @ 3A, 10V
Verlustleistung (max)	180W (Tc)	Verpackung	Tube
Verpackung / Gehäuse	TO-247-3	Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Through Hole	Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status	Lead free / RoHS Compliant	Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	1770pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	54nC @ 10V	Typ FET	N-Channel
FET-Merkmal	-	Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)	1000V	detaillierte Beschreibung	N-Channel 1000V 6A (Tc) 180W (Tc) Through Hole TO-247 (IXFH)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	6A (Tc)

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