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DTC115GUAT106

LAPIS SemiconductorLAPIS Semiconductor
DTC115GUAT106 Image
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Produktübersicht

Artikelnummer: DTC115GUAT106
Hersteller / Marke: LAPIS Semiconductor
Produktbeschreibung TRANS PREBIAS NPN 200MW UMT3
Datenblätte: 1.DTC115GUAT106.pdf2.DTC115GUAT106.pdf
RoHS Status Bleifrei / RoHS-konform
Zustand des Lagers 436457 pcs stock
Liefern von Hongkong
Versandweg DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS
In Stock 436457 pcs
Referenzpreis (in US-Dollar)
1 pcs
$0.074
10 pcs
$0.068
25 pcs
$0.062
100 pcs
$0.044
250 pcs
$0.026
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Spezifikationen von DTC115GUAT106

Artikelnummer DTC115GUAT106 Hersteller LAPIS Semiconductor
Beschreibung TRANS PREBIAS NPN 200MW UMT3 Bleifreier Status / RoHS Status Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge 436457 pcs Datenblatt 1.DTC115GUAT106.pdf2.DTC115GUAT106.pdf
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 50V VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 250µA, 5mA
Transistor-Typ NPN - Pre-Biased Supplier Device-Gehäuse UMT3
Serie - Widerstand - Emitterbasis (R2) 100 kOhms
Leistung - max 200mW Verpackung Original-Reel®
Verpackung / Gehäuse SC-70, SOT-323 Andere Namen DTC115GUAT106DKR
Befestigungsart Surface Mount Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) 1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status Lead free / RoHS Compliant Frequenz - Übergang 250MHz
detaillierte Beschreibung Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 250MHz 200mW Surface Mount UMT3 DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE 82 @ 5mA, 5V
Strom - Collector Cutoff (Max) 500nA (ICBO) Strom - Kollektor (Ic) (max) 100mA
Basisteilenummer DTC115

Lieferung

★ KOSTENLOSER VERSAND ÜBER DHL / FEDEX / UPS BEI BESTELLUNG ÜBER 1.000 USD.
(NUR FÜR integrierte Schaltungen, Schaltungsschutz, HF / ZF und RFID, Optoelektronik, Sensoren, Wandler, Transformatoren, Isolatoren, Schalter, Relais)

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