EMD2FHAT2R

LAPIS Semiconductor

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Produktübersicht

Artikelnummer:	EMD2FHAT2R
Hersteller / Marke:	LAPIS Semiconductor
Produktbeschreibung	PNP+NPN DIGITAL TRANSISTOR (CORR
Datenblätte:	1.EMD2FHAT2R.pdf 2.EMD2FHAT2R.pdf
RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Zustand des Lagers	1729422 pcs stock
Liefern von	Hongkong
Versandweg	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 1729422 pcs

Referenzpreis (in US-Dollar)

8000 pcs: $0.021

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Spezifikationen von EMD2FHAT2R

Artikelnummer	EMD2FHAT2R	Hersteller	LAPIS Semiconductor
Beschreibung	PNP+NPN DIGITAL TRANSISTOR (CORR	Bleifreier Status / RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge	1729422 pcs	Datenblatt	1.EMD2FHAT2R.pdf 2.EMD2FHAT2R.pdf
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max)	-	VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic	300mV @ 500µA, 10mA
Transistor-Typ	1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)	Supplier Device-Gehäuse	EMT6
Serie	Automotive, AEC-Q101	Widerstand - Emitterbasis (R2)	22 kOhms
Widerstand - Basis (R1)	22 kOhms	Leistung - max	150mW
Verpackung	Tape & Reel (TR)	Verpackung / Gehäuse	SOT-563, SOT-666
Andere Namen	EMD2FHAT2RTR	Befestigungsart	Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	1 (Unlimited)	Bleifreier Status / RoHS-Status	Lead free / RoHS Compliant
Frequenz - Übergang	250MHz	detaillierte Beschreibung	Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 100mA 250MHz 150mW Surface Mount EMT6
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE	56 @ 5mA, 5V	Strom - Collector Cutoff (Max)	-
Strom - Kollektor (Ic) (max)	100mA

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