STB27NM60ND

STMicroelectronics

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Produktübersicht

Artikelnummer:	STB27NM60ND
Hersteller / Marke:	STMicroelectronics
Produktbeschreibung	MOSFET N-CH 600V 21A D2PAK
Datenblätte:	1.STB27NM60ND.pdf 2.STB27NM60ND.pdf 3.STB27NM60ND.pdf
RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Zustand des Lagers	12256 pcs stock
Liefern von	Hongkong
Versandweg	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 12256 pcs

Referenzpreis (in US-Dollar)

1 pcs: $3.119

10 pcs: $2.808

100 pcs: $2.309

500 pcs: $1.934

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Spezifikationen von STB27NM60ND

Artikelnummer	STB27NM60ND	Hersteller	STMicroelectronics
Beschreibung	MOSFET N-CH 600V 21A D2PAK	Bleifreier Status / RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge	12256 pcs	Datenblatt	1.STB27NM60ND.pdf 2.STB27NM60ND.pdf 3.STB27NM60ND.pdf
VGS (th) (Max) @ Id	5V @ 250µA	Vgs (Max)	±25V
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Supplier Device-Gehäuse	D2PAK
Serie	Automotive, AEC-Q101, FDmesh™ II	Rds On (Max) @ Id, Vgs	160 mOhm @ 10.5A, 10V
Verlustleistung (max)	160W (Tc)	Verpackung	Cut Tape (CT)
Verpackung / Gehäuse	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	Andere Namen	497-17760-1
Betriebstemperatur	150°C (TJ)	Befestigungsart	Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	1 (Unlimited)	Bleifreier Status / RoHS-Status	Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	2400pF @ 50V	Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	80nC @ 10V
Typ FET	N-Channel	FET-Merkmal	-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	10V	Drain-Source-Spannung (Vdss)	600V
detaillierte Beschreibung	N-Channel 600V 21A (Tc) 160W (Tc) Surface Mount D2PAK	Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	21A (Tc)

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★ Lieferzeit dauert 2-4 Tage in die meisten Länder der Welt durch DHL / UPS / FEDEX / TNT.

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