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2SB906-Y(TE16L1,NQ

Toshiba Semiconductor and StorageToshiba Semiconductor and Storage
Toshiba Semiconductor and Storage
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Produktübersicht

Artikelnummer: 2SB906-Y(TE16L1,NQ
Hersteller / Marke: Toshiba Semiconductor and Storage
Produktbeschreibung TRANS PNP 60V 3A PW-MOLD
Datenblätte: 2SB906-Y(TE16L1,NQ.pdf
RoHS Status Bleifrei / RoHS-konform
Zustand des Lagers 87012 pcs stock
Liefern von Hongkong
Versandweg DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS
In Stock 87012 pcs
Referenzpreis (in US-Dollar)
1 pcs
$0.414
10 pcs
$0.366
25 pcs
$0.331
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$0.289
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Spezifikationen von 2SB906-Y(TE16L1,NQ

Artikelnummer 2SB906-Y(TE16L1,NQ Hersteller Toshiba Semiconductor and Storage
Beschreibung TRANS PNP 60V 3A PW-MOLD Bleifreier Status / RoHS Status Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge 87012 pcs Datenblatt 2SB906-Y(TE16L1,NQ.pdf
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 60V VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic 1.7V @ 300mA, 3A
Transistor-Typ PNP Supplier Device-Gehäuse PW-MOLD
Serie - Leistung - max 1W
Verpackung Cut Tape (CT) Verpackung / Gehäuse TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Andere Namen 2SB906-Y(Q)
2SB906-Y(Q)-ND
2SB906-Y(TE16L1,NQ)
2SB906-Y(TE16L1,NQCT
2SB906-Y(TE16L1NQ)
2SB906-Y(TE16L1NQ)-ND
2SB906-Y(TE16L1NQ-ND
2SB906-Y(TE16L1NQCT
2SB906Y(TE16L1NQ
2SB906Y(TE16L1NQ-ND
2SB906YTE16L1NQ
Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) 1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status Lead free / RoHS Compliant Frequenz - Übergang 9MHz
detaillierte Beschreibung Bipolar (BJT) Transistor PNP 60V 3A 9MHz 1W Surface Mount PW-MOLD DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE 100 @ 500mA, 5V
Strom - Collector Cutoff (Max) 100µA (ICBO) Strom - Kollektor (Ic) (max) 3A

Lieferung

★ KOSTENLOSER VERSAND ÜBER DHL / FEDEX / UPS BEI BESTELLUNG ÜBER 1.000 USD.
(NUR FÜR integrierte Schaltungen, Schaltungsschutz, HF / ZF und RFID, Optoelektronik, Sensoren, Wandler, Transformatoren, Isolatoren, Schalter, Relais)

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