HN1C01F-GR(TE85L,F

Toshiba Semiconductor and Storage

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Produktübersicht

Artikelnummer:	HN1C01F-GR(TE85L,F
Hersteller / Marke:	Toshiba Semiconductor and Storage
Produktbeschreibung	TRANS 2NPN 50V 0.15A SM6
Datenblätte:	HN1C01F-GR(TE85L,F.pdf
RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Zustand des Lagers	213100 pcs stock
Liefern von	Hongkong
Versandweg	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 213100 pcs

Referenzpreis (in US-Dollar)

1 pcs: $0.144

10 pcs: $0.103

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Spezifikationen von HN1C01F-GR(TE85L,F

Artikelnummer	HN1C01F-GR(TE85L,F	Hersteller	Toshiba Semiconductor and Storage
Beschreibung	TRANS 2NPN 50V 0.15A SM6	Bleifreier Status / RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge	213100 pcs	Datenblatt	HN1C01F-GR(TE85L,F.pdf
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max)	50V	VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic	250mV @ 10mA, 100mA
Transistor-Typ	2 NPN (Dual)	Supplier Device-Gehäuse	SM6
Serie	-	Leistung - max	300mW
Verpackung	Cut Tape (CT)	Verpackung / Gehäuse	SC-74, SOT-457
Andere Namen	HN1C01F-GR(TE85LF)CT HN1C01F-GR(TE85LF)CT-ND HN1C01F-GR(TE85LFCT	Betriebstemperatur	125°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount	Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status	Lead free / RoHS Compliant	Frequenz - Übergang	800MHz
detaillierte Beschreibung	Bipolar (BJT) Transistor Array 2 NPN (Dual) 50V 150mA 800MHz 300mW Surface Mount SM6	DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE	120 @ 2mA, 6V
Strom - Collector Cutoff (Max)	100nA (ICBO)	Strom - Kollektor (Ic) (max)	150mA

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