RN1706JE(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

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Produktübersicht

Artikelnummer:	RN1706JE(TE85L,F)
Hersteller / Marke:	Toshiba Semiconductor and Storage
Produktbeschreibung	TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ESV
Datenblätte:	RN1706JE(TE85L,F).pdf
RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Zustand des Lagers	157163 pcs stock
Liefern von	Hongkong
Versandweg	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 157163 pcs

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Spezifikationen von RN1706JE(TE85L,F)

Artikelnummer	RN1706JE(TE85L,F)	Hersteller	Toshiba Semiconductor and Storage
Beschreibung	TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ESV	Bleifreier Status / RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge	157163 pcs	Datenblatt	RN1706JE(TE85L,F).pdf
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max)	50V	VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic	300mV @ 250µA, 5mA
Transistor-Typ	2 NPN - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled)	Supplier Device-Gehäuse	ESV
Serie	-	Widerstand - Emitterbasis (R2)	47 kOhms
Widerstand - Basis (R1)	4.7 kOhms	Leistung - max	100mW
Verpackung	Cut Tape (CT)	Verpackung / Gehäuse	SOT-553
Andere Namen	RN1706JE(TE85LF)CT	Befestigungsart	Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	1 (Unlimited)	Bleifreier Status / RoHS-Status	Lead free / RoHS Compliant
Frequenz - Übergang	250MHz	detaillierte Beschreibung	Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled) 50V 100mA 250MHz 100mW Surface Mount ESV
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE	80 @ 10mA, 5V	Strom - Collector Cutoff (Max)	100nA (ICBO)
Strom - Kollektor (Ic) (max)	100mA

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