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RN2607(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and StorageToshiba Semiconductor and Storage
Toshiba Semiconductor and Storage
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Produktübersicht

Artikelnummer: RN2607(TE85L,F)
Hersteller / Marke: Toshiba Semiconductor and Storage
Produktbeschreibung TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SM6
Datenblätte: RN2607(TE85L,F).pdf
RoHS Status Bleifrei / RoHS-konform
Zustand des Lagers 157232 pcs stock
Liefern von Hongkong
Versandweg DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS
In Stock 157232 pcs
Referenzpreis (in US-Dollar)
1 pcs
$0.20
10 pcs
$0.144
25 pcs
$0.112
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Spezifikationen von RN2607(TE85L,F)

Artikelnummer RN2607(TE85L,F) Hersteller Toshiba Semiconductor and Storage
Beschreibung TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SM6 Bleifreier Status / RoHS Status Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge 157232 pcs Datenblatt RN2607(TE85L,F).pdf
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 50V VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 250µA, 5mA
Transistor-Typ 2 PNP - Pre-Biased (Dual) Supplier Device-Gehäuse SM6
Serie - Widerstand - Emitterbasis (R2) 47 kOhms
Widerstand - Basis (R1) 10 kOhms Leistung - max 300mW
Verpackung Cut Tape (CT) Verpackung / Gehäuse SC-74, SOT-457
Andere Namen RN2607(TE85LF)CT Befestigungsart Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) 1 (Unlimited) Bleifreier Status / RoHS-Status Lead free / RoHS Compliant
Frequenz - Übergang 200MHz detaillierte Beschreibung Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 200MHz 300mW Surface Mount SM6
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE 80 @ 10mA, 5V Strom - Collector Cutoff (Max) 100nA (ICBO)
Strom - Kollektor (Ic) (max) 100mA

Lieferung

★ KOSTENLOSER VERSAND ÜBER DHL / FEDEX / UPS BEI BESTELLUNG ÜBER 1.000 USD.
(NUR FÜR integrierte Schaltungen, Schaltungsschutz, HF / ZF und RFID, Optoelektronik, Sensoren, Wandler, Transformatoren, Isolatoren, Schalter, Relais)

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