RN4602TE85LF

Toshiba Semiconductor and Storage

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Produktübersicht

Artikelnummer:	RN4602TE85LF
Hersteller / Marke:	Toshiba Semiconductor and Storage
Produktbeschreibung	TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W SM6
Datenblätte:	RN4602TE85LF.pdf
RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Zustand des Lagers	210330 pcs stock
Liefern von	Hongkong
Versandweg	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 210330 pcs

Referenzpreis (in US-Dollar)

1 pcs: $0.162

10 pcs: $0.116

25 pcs: $0.09

100 pcs: $0.068

250 pcs: $0.048

500 pcs: $0.039

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Spezifikationen von RN4602TE85LF

Artikelnummer	RN4602TE85LF	Hersteller	Toshiba Semiconductor and Storage
Beschreibung	TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W SM6	Bleifreier Status / RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge	210330 pcs	Datenblatt	RN4602TE85LF.pdf
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max)	50V	VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic	300mV @ 250µA, 5mA
Transistor-Typ	1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)	Supplier Device-Gehäuse	SM6
Serie	-	Widerstand - Emitterbasis (R2)	10 kOhms
Widerstand - Basis (R1)	10 kOhms	Leistung - max	300mW
Verpackung	Cut Tape (CT)	Verpackung / Gehäuse	SC-74, SOT-457
Andere Namen	RN4602TE85LFCT	Befestigungsart	Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	1 (Unlimited)	Bleifreier Status / RoHS-Status	Lead free / RoHS Compliant
Frequenz - Übergang	200MHz	detaillierte Beschreibung	Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 200MHz 300mW Surface Mount SM6
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE	50 @ 10mA, 5V	Strom - Collector Cutoff (Max)	100nA (ICBO)
Strom - Kollektor (Ic) (max)	100mA

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