FCPF380N60-F152

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Produktübersicht

Artikelnummer:	FCPF380N60-F152
Hersteller / Marke:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Produktbeschreibung	MOSFET N-CH 600V 10.2A TO-220F
Datenblätte:	FCPF380N60-F152.pdf
RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Zustand des Lagers	39688 pcs stock
Liefern von	Hongkong
Versandweg	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 39688 pcs

Referenzpreis (in US-Dollar)

1 pcs: $0.938

10 pcs: $0.848

100 pcs: $0.682

500 pcs: $0.53

1000 pcs: $0.439

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Spezifikationen von FCPF380N60-F152

Artikelnummer	FCPF380N60-F152	Hersteller	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Beschreibung	MOSFET N-CH 600V 10.2A TO-220F	Bleifreier Status / RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge	39688 pcs	Datenblatt	FCPF380N60-F152.pdf
VGS (th) (Max) @ Id	3.5V @ 250µA	Vgs (Max)	±20V
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Supplier Device-Gehäuse	TO-220F-3
Serie	SuperFET® II	Rds On (Max) @ Id, Vgs	380 mOhm @ 5A, 10V
Verlustleistung (max)	31W (Tc)	Verpackung	Tube
Verpackung / Gehäuse	TO-220-3 Full Pack	Andere Namen	FCPF380N60_F152 FCPF380N60_F152-ND
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)	Befestigungsart	Through Hole
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	1 (Unlimited)	Bleifreier Status / RoHS-Status	Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	1665pF @ 25V	Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	40nC @ 10V
Typ FET	N-Channel	FET-Merkmal	-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	10V	Drain-Source-Spannung (Vdss)	600V
detaillierte Beschreibung	N-Channel 600V 10.2A (Tc) 31W (Tc) Through Hole TO-220F-3	Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	10.2A (Tc)

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