FCPF400N80ZL1

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Produktübersicht

Artikelnummer:	FCPF400N80ZL1
Hersteller / Marke:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Produktbeschreibung	MOSFET N-CH 800V 11A TO220
Datenblätte:	FCPF400N80ZL1.pdf
RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Zustand des Lagers	48494 pcs stock
Liefern von	Hongkong
Versandweg	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 48494 pcs

Referenzpreis (in US-Dollar)

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Spezifikationen von FCPF400N80ZL1

Artikelnummer	FCPF400N80ZL1	Hersteller	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Beschreibung	MOSFET N-CH 800V 11A TO220	Bleifreier Status / RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge	48494 pcs	Datenblatt	FCPF400N80ZL1.pdf
VGS (th) (Max) @ Id	4.5V @ 1.1mA	Vgs (Max)	±20V
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Supplier Device-Gehäuse	TO-220F-3
Serie	SuperFET® II	Rds On (Max) @ Id, Vgs	400 mOhm @ 5.5A, 10V
Verlustleistung (max)	35.7W (Tc)	Verpackung	Tube
Verpackung / Gehäuse	TO-220-3 Full Pack	Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Through Hole	Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status	Lead free / RoHS Compliant	Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	2350pF @ 100V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	56nC @ 10V	Typ FET	N-Channel
FET-Merkmal	-	Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)	800V	detaillierte Beschreibung	N-Channel 800V 11A (Tc) 35.7W (Tc) Through Hole TO-220F-3
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	11A (Tc)

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Nach dem Verkauf
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