FQB12P20TM

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Produktübersicht

Artikelnummer:	FQB12P20TM
Hersteller / Marke:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Produktbeschreibung	MOSFET P-CH 200V 11.5A D2PAK
Datenblätte:	FQB12P20TM.pdf
RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Zustand des Lagers	83833 pcs stock
Liefern von	Hongkong
Versandweg	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 83833 pcs

Referenzpreis (in US-Dollar)

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Spezifikationen von FQB12P20TM

Artikelnummer	FQB12P20TM	Hersteller	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Beschreibung	MOSFET P-CH 200V 11.5A D2PAK	Bleifreier Status / RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge	83833 pcs	Datenblatt	FQB12P20TM.pdf
VGS (th) (Max) @ Id	5V @ 250µA	Vgs (Max)	±30V
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Supplier Device-Gehäuse	D²PAK (TO-263AB)
Serie	QFET®	Rds On (Max) @ Id, Vgs	470 mOhm @ 5.75A, 10V
Verlustleistung (max)	3.13W (Ta), 120W (Tc)	Verpackung	Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	Andere Namen	FQB12P20TM-ND FQB12P20TMTR
Betriebstemperatur	-55°C ~ 175°C (TJ)	Befestigungsart	Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	1 (Unlimited)	Bleifreier Status / RoHS-Status	Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	1200pF @ 25V	Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	40nC @ 10V
Typ FET	P-Channel	FET-Merkmal	-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	10V	Drain-Source-Spannung (Vdss)	200V
detaillierte Beschreibung	P-Channel 200V 11.5A (Tc) 3.13W (Ta), 120W (Tc) Surface Mount D²PAK (TO-263AB)	Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	11.5A (Tc)

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