NDPL070N10BG

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Produktübersicht

Artikelnummer:	NDPL070N10BG
Hersteller / Marke:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Produktbeschreibung	MOSFET N-CH 100V 70A TO220-3
Datenblätte:	NDPL070N10BG.pdf
RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Zustand des Lagers	4012 pcs stock
Liefern von	Hongkong
Versandweg	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 4012 pcs

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Spezifikationen von NDPL070N10BG

Artikelnummer	NDPL070N10BG	Hersteller	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Beschreibung	MOSFET N-CH 100V 70A TO220-3	Bleifreier Status / RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge	4012 pcs	Datenblatt	NDPL070N10BG.pdf
VGS (th) (Max) @ Id	4V @ 1mA	Vgs (Max)	±20V
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Supplier Device-Gehäuse	TO-220-3
Serie	-	Rds On (Max) @ Id, Vgs	10.8 mOhm @ 35A, 15V
Verlustleistung (max)	2.1W (Ta), 72W (Tc)	Verpackung	Tube
Verpackung / Gehäuse	TO-220-3	Andere Namen	NDPL070N10BGOS
Betriebstemperatur	175°C (TJ)	Befestigungsart	Through Hole
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	1 (Unlimited)	Bleifreier Status / RoHS-Status	Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	2010pF @ 50V	Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	26nC @ 10V
Typ FET	N-Channel	FET-Merkmal	-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	10V, 15V	Drain-Source-Spannung (Vdss)	100V
detaillierte Beschreibung	N-Channel 100V 70A (Ta) 2.1W (Ta), 72W (Tc) Through Hole TO-220-3	Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	70A (Ta)

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