SI1302DL-T1-GE3

Electro-Films (EFI) / Vishay

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Produktübersicht

Artikelnummer:	SI1302DL-T1-GE3
Hersteller / Marke:	Electro-Films (EFI) / Vishay
Produktbeschreibung	MOSFET N-CH 30V 600MA SC-70-3
Datenblätte:	SI1302DL-T1-GE3.pdf
RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Zustand des Lagers	552805 pcs stock
Liefern von	Hongkong
Versandweg	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 552805 pcs

Referenzpreis (in US-Dollar)

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Spezifikationen von SI1302DL-T1-GE3

Artikelnummer	SI1302DL-T1-GE3	Hersteller	Electro-Films (EFI) / Vishay
Beschreibung	MOSFET N-CH 30V 600MA SC-70-3	Bleifreier Status / RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge	552805 pcs	Datenblatt	SI1302DL-T1-GE3.pdf
VGS (th) (Max) @ Id	3V @ 250µA	Vgs (Max)	±20V
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Supplier Device-Gehäuse	SC-70-3
Serie	TrenchFET®	Rds On (Max) @ Id, Vgs	480 mOhm @ 600mA, 10V
Verlustleistung (max)	280mW (Ta)	Verpackung	Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse	SC-70, SOT-323	Andere Namen	SI1302DL-T1-GE3TR SI1302DLT1GE3
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)	Befestigungsart	Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	1 (Unlimited)	Bleifreier Status / RoHS-Status	Lead free / RoHS Compliant
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	1.4nC @ 10V	Typ FET	N-Channel
FET-Merkmal	-	Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)	30V	detaillierte Beschreibung	N-Channel 30V 600mA (Ta) 280mW (Ta) Surface Mount SC-70-3
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	600mA (Ta)

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