SIDR140DP-T1-GE3

Electro-Films (EFI) / Vishay

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Produktübersicht

Artikelnummer:	SIDR140DP-T1-GE3
Hersteller / Marke:	Electro-Films (EFI) / Vishay
Produktbeschreibung	MOSFET N-CHAN 25V PPAK SO-8DC
Datenblätte:	SIDR140DP-T1-GE3.pdf
RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Zustand des Lagers	79408 pcs stock
Liefern von	Hongkong
Versandweg	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 79408 pcs

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Spezifikationen von SIDR140DP-T1-GE3

Artikelnummer	SIDR140DP-T1-GE3	Hersteller	Electro-Films (EFI) / Vishay
Beschreibung	MOSFET N-CHAN 25V PPAK SO-8DC	Bleifreier Status / RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge	79408 pcs	Datenblatt	SIDR140DP-T1-GE3.pdf
VGS (th) (Max) @ Id	2.1V @ 250µA	Vgs (Max)	+20V, -16V
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Supplier Device-Gehäuse	PowerPAK® SO-8DC
Serie	TrenchFET® Gen IV	Rds On (Max) @ Id, Vgs	0.67 mOhm @ 20A, 10V
Verlustleistung (max)	6.25W (Ta), 125W (Tc)	Verpackung	Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse	PowerPAK® SO-8	Andere Namen	SIDR140DP-T1-GE3TR
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)	Befestigungsart	Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	1 (Unlimited)	Bleifreier Status / RoHS-Status	Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	8150pF @ 10V	Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	170nC @ 10V
Typ FET	N-Channel	FET-Merkmal	-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V	Drain-Source-Spannung (Vdss)	25V
detaillierte Beschreibung	N-Channel 25V 79A (Ta), 100A (Tc) 6.25W (Ta), 125W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8DC	Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	79A (Ta), 100A (Tc)

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