SIHU6N65E-GE3

Electro-Films (EFI) / Vishay

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Produktübersicht

Artikelnummer:	SIHU6N65E-GE3
Hersteller / Marke:	Electro-Films (EFI) / Vishay
Produktbeschreibung	MOSFET N-CH 650V 6A IPAK
Datenblätte:	SIHU6N65E-GE3.pdf
RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Zustand des Lagers	44427 pcs stock
Liefern von	Hongkong
Versandweg	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 44427 pcs

Referenzpreis (in US-Dollar)

1 pcs: $0.688

10 pcs: $0.622

100 pcs: $0.50

500 pcs: $0.389

1000 pcs: $0.322

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Spezifikationen von SIHU6N65E-GE3

Artikelnummer	SIHU6N65E-GE3	Hersteller	Electro-Films (EFI) / Vishay
Beschreibung	MOSFET N-CH 650V 6A IPAK	Bleifreier Status / RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge	44427 pcs	Datenblatt	SIHU6N65E-GE3.pdf
VGS (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA	Vgs (Max)	±30V
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Supplier Device-Gehäuse	IPAK (TO-251)
Serie	-	Rds On (Max) @ Id, Vgs	600 mOhm @ 3A, 10V
Verlustleistung (max)	78W (Tc)	Verpackung	Tube
Verpackung / Gehäuse	TO-251-3 Long Leads, IPak, TO-251AB	Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Through Hole	Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status	Lead free / RoHS Compliant	Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	820pF @ 100V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	48nC @ 10V	Typ FET	N-Channel
FET-Merkmal	-	Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)	650V	detaillierte Beschreibung	N-Channel 650V 7A (Tc) 78W (Tc) Through Hole IPAK (TO-251)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	7A (Tc)

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