SIHU7N60E-E3

Electro-Films (EFI) / Vishay

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Produktübersicht

Artikelnummer:	SIHU7N60E-E3
Hersteller / Marke:	Electro-Films (EFI) / Vishay
Produktbeschreibung	MOSFET N-CH 600V 7A TO-251
Datenblätte:	SIHU7N60E-E3.pdf
RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Zustand des Lagers	78844 pcs stock
Liefern von	Hongkong
Versandweg	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 78844 pcs

Referenzpreis (in US-Dollar)

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Spezifikationen von SIHU7N60E-E3

Artikelnummer	SIHU7N60E-E3	Hersteller	Electro-Films (EFI) / Vishay
Beschreibung	MOSFET N-CH 600V 7A TO-251	Bleifreier Status / RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge	78844 pcs	Datenblatt	SIHU7N60E-E3.pdf
VGS (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA	Vgs (Max)	±30V
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Supplier Device-Gehäuse	TO-251
Serie	-	Rds On (Max) @ Id, Vgs	600 mOhm @ 3.5A, 10V
Verlustleistung (max)	78W (Tc)	Verpackung	Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse	TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA	Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Through Hole	Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status	Lead free / RoHS Compliant	Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	680pF @ 100V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	40nC @ 10V	Typ FET	N-Channel
FET-Merkmal	-	Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)	600V	detaillierte Beschreibung	N-Channel 600V 7A (Tc) 78W (Tc) Through Hole TO-251
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	7A (Tc)

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