SIHW33N60E-GE3

Electro-Films (EFI) / Vishay

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Produktübersicht

Artikelnummer:	SIHW33N60E-GE3
Hersteller / Marke:	Electro-Films (EFI) / Vishay
Produktbeschreibung	MOSFET N-CH 600V 33A TO-247AD
Datenblätte:	SIHW33N60E-GE3.pdf
RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Zustand des Lagers	12435 pcs stock
Liefern von	Hongkong
Versandweg	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 12435 pcs

Referenzpreis (in US-Dollar)

1 pcs: $2.715

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Spezifikationen von SIHW33N60E-GE3

Artikelnummer	SIHW33N60E-GE3	Hersteller	Electro-Films (EFI) / Vishay
Beschreibung	MOSFET N-CH 600V 33A TO-247AD	Bleifreier Status / RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge	12435 pcs	Datenblatt	SIHW33N60E-GE3.pdf
VGS (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA	Vgs (Max)	±30V
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Supplier Device-Gehäuse	TO-247AD
Serie	-	Rds On (Max) @ Id, Vgs	99 mOhm @ 16.5A, 10V
Verlustleistung (max)	278W (Tc)	Verpackung	Tube
Verpackung / Gehäuse	TO-3P-3 Full Pack	Andere Namen	SIHW33N60E-GE3CT SIHW33N60E-GE3CT-ND
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)	Befestigungsart	Through Hole
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	1 (Unlimited)	Bleifreier Status / RoHS-Status	Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	3508pF @ 100V	Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	150nC @ 10V
Typ FET	N-Channel	FET-Merkmal	-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	10V	Drain-Source-Spannung (Vdss)	600V
detaillierte Beschreibung	N-Channel 600V 33A (Tc) 278W (Tc) Through Hole TO-247AD	Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	33A (Tc)

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