SIZ900DT-T1-GE3

Electro-Films (EFI) / Vishay

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Produktübersicht

Artikelnummer:	SIZ900DT-T1-GE3
Hersteller / Marke:	Electro-Films (EFI) / Vishay
Produktbeschreibung	MOSFET 2N-CH 30V 24A POWERPAIR
Datenblätte:	SIZ900DT-T1-GE3.pdf
RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Zustand des Lagers	45623 pcs stock
Liefern von	Hongkong
Versandweg	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 45623 pcs

Referenzpreis (in US-Dollar)

1 pcs: $0.731

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Spezifikationen von SIZ900DT-T1-GE3

Artikelnummer	SIZ900DT-T1-GE3	Hersteller	Electro-Films (EFI) / Vishay
Beschreibung	MOSFET 2N-CH 30V 24A POWERPAIR	Bleifreier Status / RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge	45623 pcs	Datenblatt	SIZ900DT-T1-GE3.pdf
VGS (th) (Max) @ Id	2.4V @ 250µA	Supplier Device-Gehäuse	6-PowerPair™
Serie	TrenchFET®	Rds On (Max) @ Id, Vgs	7.2 mOhm @ 19.4A, 10V
Leistung - max	48W, 100W	Verpackung	Cut Tape (CT)
Verpackung / Gehäuse	6-PowerPair™	Andere Namen	SIZ900DT-T1-GE3CT
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)	Befestigungsart	Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	1 (Unlimited)	Bleifreier Status / RoHS-Status	Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	1830pF @ 15V	Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	45nC @ 10V
Typ FET	2 N-Channel (Half Bridge)	FET-Merkmal	Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (Vdss)	30V	detaillierte Beschreibung	Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 30V 24A, 28A 48W, 100W Surface Mount 6-PowerPair™
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	24A, 28A	Basisteilenummer	SIZ900

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