FDD3670

Fairchild/ON Semiconductor

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Produktübersicht

Artikelnummer:	FDD3670
Hersteller / Marke:	Fairchild/ON Semiconductor
Produktbeschreibung	MOSFET N-CH 100V 34A D-PAK
Datenblätte:	FDD3670.pdf
RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Zustand des Lagers	39135 pcs stock
Liefern von	Hongkong
Versandweg	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 39135 pcs

Referenzpreis (in US-Dollar)

1 pcs: $0.783

10 pcs: $0.702

100 pcs: $0.565

500 pcs: $0.464

1000 pcs: $0.384

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Spezifikationen von FDD3670

Artikelnummer	FDD3670	Hersteller	Fairchild/ON Semiconductor
Beschreibung	MOSFET N-CH 100V 34A D-PAK	Bleifreier Status / RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge	39135 pcs	Datenblatt	FDD3670.pdf
Spannung - Prüfung	2490pF @ 50V	Spannung - Durchschlag	TO-252
VGS (th) (Max) @ Id	32 mOhm @ 7.3A, 10V	Vgs (Max)	6V, 10V
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Serie	PowerTrench®
RoHS Status	Digi-Reel®	Rds On (Max) @ Id, Vgs	34A (Ta)
Polarisation	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Andere Namen	FDD3670DKR
Betriebstemperatur	-55°C ~ 175°C (TJ)	Befestigungsart	Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)	1 (Unlimited)	Hersteller-Teilenummer	FDD3670
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	80nC @ 10V	IGBT-Typ	±20V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	4V @ 250µA	FET-Merkmal	N-Channel
Expanded Beschreibung	N-Channel 100V 34A (Ta) 3.8W (Ta), 83W (Tc) Surface Mount TO-252	Drain-Source-Spannung (Vdss)	-
Beschreibung	MOSFET N-CH 100V 34A D-PAK	Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	100V
Kapazitätsverhältnis	3.8W (Ta), 83W (Tc)

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