FJBE2150DTU

Fairchild/ON Semiconductor

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Produktübersicht

Artikelnummer:	FJBE2150DTU
Hersteller / Marke:	Fairchild/ON Semiconductor
Produktbeschreibung	TRANS NPN 800V 2A D2-PAK-2L
Datenblätte:	FJBE2150DTU.pdf
RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Zustand des Lagers	52819 pcs stock
Liefern von	Hongkong
Versandweg	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 52819 pcs

Referenzpreis (in US-Dollar)

1 pcs: $0.544

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500 pcs: $0.323

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Spezifikationen von FJBE2150DTU

Artikelnummer	FJBE2150DTU	Hersteller	Fairchild/ON Semiconductor
Beschreibung	TRANS NPN 800V 2A D2-PAK-2L	Bleifreier Status / RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge	52819 pcs	Datenblatt	FJBE2150DTU.pdf
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max)	2A	Spannung - Durchschlag	D²PAK (TO-263)
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic	800V	Serie	ESBC™
RoHS Status	Tube	Widerstand - Base (R1) (Ohm)	5MHz
Leistung - max	110W	Polarisation	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Betriebstemperatur	-55°C ~ 125°C (TJ)	Befestigungsart	Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)	1 (Unlimited)	Hersteller-Teilenummer	FJBE2150DTU
Frequenz - Übergang	20 @ 400mA, 3V	Expanded Beschreibung	Bipolar (BJT) Transistor NPN 800V 2A 5MHz 110W Surface Mount D²PAK (TO-263)
Beschreibung	TRANS NPN 800V 2A D2-PAK-2L	DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE	100µA
Strom - Collector Cutoff (Max)	250mV @ 330mA, 1A	Strom - Kollektor (Ic) (max)	NPN

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