IXFN50N120SK

IXYS Corporation

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Produktübersicht

Artikelnummer:	IXFN50N120SK
Hersteller / Marke:	IXYS Corporation
Produktbeschreibung	MOSFET N-CH
Datenblätte:	IXFN50N120SK.pdf
Zustand des Lagers	1589 pcs stock
Liefern von	Hongkong
Versandweg	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 1589 pcs

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Spezifikationen von IXFN50N120SK

Artikelnummer	IXFN50N120SK	Hersteller	IXYS Corporation
Beschreibung	MOSFET N-CH	Bleifreier Status / RoHS Status
Verfügbare Menge	1589 pcs	Datenblatt	IXFN50N120SK.pdf
VGS (th) (Max) @ Id	2.8V @ 10mA	Vgs (Max)	+20V, -5V
Technologie	SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)	Supplier Device-Gehäuse	SOT-227B
Serie	-	Rds On (Max) @ Id, Vgs	52 mOhm @ 40A, 20V
Verlustleistung (max)	-	Verpackung / Gehäuse	SOT-227-4, miniBLOC
Betriebstemperatur	-40°C ~ 175°C (TJ)	Befestigungsart	Chassis Mount
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	1895pF @ 1000V	Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	115nC @ 20V
Typ FET	N-Channel	FET-Merkmal	-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	20V	Drain-Source-Spannung (Vdss)	1200V
detaillierte Beschreibung	N-Channel 1200V 48A (Tc) Chassis Mount SOT-227B	Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	48A (Tc)

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