DTC144EEBHZGTL

LAPIS Semiconductor

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Produktübersicht

Artikelnummer:	DTC144EEBHZGTL
Hersteller / Marke:	LAPIS Semiconductor
Produktbeschreibung	NPN DIGITAL TRANSISTOR (WITH BUI
Datenblätte:	1.DTC144EEBHZGTL.pdf 2.DTC144EEBHZGTL.pdf
RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Zustand des Lagers	362970 pcs stock
Liefern von	Hongkong
Versandweg	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 362970 pcs

Referenzpreis (in US-Dollar)

1 pcs: $0.081

10 pcs: $0.073

25 pcs: $0.066

100 pcs: $0.048

250 pcs: $0.028

500 pcs: $0.023

1000 pcs: $0.016

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Spezifikationen von DTC144EEBHZGTL

Artikelnummer	DTC144EEBHZGTL	Hersteller	LAPIS Semiconductor
Beschreibung	NPN DIGITAL TRANSISTOR (WITH BUI	Bleifreier Status / RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge	362970 pcs	Datenblatt	1.DTC144EEBHZGTL.pdf 2.DTC144EEBHZGTL.pdf
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic	300mV @ 500µA, 10mA	Transistor-Typ	NPN - Pre-Biased + Diode
Supplier Device-Gehäuse	EMT3F (SOT-416FL)	Serie	Automotive, AEC-Q101
Widerstand - Emitterbasis (R2)	47 kOhms	Widerstand - Basis (R1)	47 kOhms
Leistung - max	150mW	Verpackung	Cut Tape (CT)
Verpackung / Gehäuse	SC-89, SOT-490	Andere Namen	DTC144EEBHZGTLCT
Befestigungsart	Surface Mount	Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status	Lead free / RoHS Compliant	Frequenz - Übergang	250MHz
detaillierte Beschreibung	Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased + Diode 100mA 250MHz 150mW Surface Mount EMT3F (SOT-416FL)	DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE	68 @ 5mA, 5V
Strom - Collector Cutoff (Max)	-	Strom - Kollektor (Ic) (max)	100mA

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