UPA2379T1P-E1-A

Renesas Electronics America

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Produktübersicht

Artikelnummer:	UPA2379T1P-E1-A
Hersteller / Marke:	Renesas Electronics America
Produktbeschreibung	MOSFET 2N-CH 12V
Datenblätte:	UPA2379T1P-E1-A.pdf
RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Zustand des Lagers	78930 pcs stock
Liefern von	Hongkong
Versandweg	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 78930 pcs

Referenzpreis (in US-Dollar)

1 pcs: $0.383

10 pcs: $0.335

100 pcs: $0.258

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Spezifikationen von UPA2379T1P-E1-A

Artikelnummer	UPA2379T1P-E1-A	Hersteller	Renesas Electronics America
Beschreibung	MOSFET 2N-CH 12V	Bleifreier Status / RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge	78930 pcs	Datenblatt	UPA2379T1P-E1-A.pdf
VGS (th) (Max) @ Id	-	Supplier Device-Gehäuse	6-EFLIP-LGA (2.17x1.47)
Serie	-	Rds On (Max) @ Id, Vgs	-
Leistung - max	1.8W	Verpackung	Cut Tape (CT)
Verpackung / Gehäuse	6-XFLGA	Andere Namen	UPA2379T1P-E1-ACT
Betriebstemperatur	150°C (TJ)	Befestigungsart	Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	1 (Unlimited)	Bleifreier Status / RoHS-Status	Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	-	Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	20nC @ 4V
Typ FET	2 N-Channel (Dual) Common Drain	FET-Merkmal	Logic Level Gate, 2.5V Drive
Drain-Source-Spannung (Vdss)	-	detaillierte Beschreibung	Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Common Drain 1.8W Surface Mount 6-EFLIP-LGA (2.17x1.47)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	-

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