TC58BVG0S3HBAI4

Toshiba Memory America, Inc.

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Produktübersicht

Artikelnummer:	TC58BVG0S3HBAI4
Hersteller / Marke:	Toshiba Memory America, Inc.
Produktbeschreibung	IC FLASH 1G PARALLEL 63TFBGA
Datenblätte:	TC58BVG0S3HBAI4.pdf
RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Zustand des Lagers	26009 pcs stock
Liefern von	Hongkong
Versandweg	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 26009 pcs

Referenzpreis (in US-Dollar)

1 pcs: $1.124

10 pcs: $1.02

25 pcs: $0.997

50 pcs: $0.992

210 pcs: $0.89

420 pcs: $0.886

630 pcs: $0.854

1050 pcs: $0.812

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Spezifikationen von TC58BVG0S3HBAI4

Artikelnummer	TC58BVG0S3HBAI4	Hersteller	Toshiba Memory America, Inc.
Beschreibung	IC FLASH 1G PARALLEL 63TFBGA	Bleifreier Status / RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge	26009 pcs	Datenblatt	TC58BVG0S3HBAI4.pdf
Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite	25ns	Spannungsversorgung	2.7 V ~ 3.6 V
Technologie	FLASH - NAND (SLC)	Supplier Device-Gehäuse	63-TFBGA (9x11)
Serie	Benand™	Verpackung	Tray
Verpackung / Gehäuse	63-VFBGA	Andere Namen	TC58BVG0S3HBAI4JDH TC58BVG0S3HBAI4YCL
Betriebstemperatur	-40°C ~ 85°C (TA)	Befestigungsart	Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	3 (168 Hours)	Speichertyp	Non-Volatile
Speichergröße	1Gb (128M x 8)	Speicherschnittstelle	Parallel
Speicherformat	FLASH	Bleifreier Status / RoHS-Status	Lead free / RoHS Compliant
detaillierte Beschreibung	FLASH - NAND (SLC) Memory IC 1Gb (128M x 8) Parallel 25ns 63-TFBGA (9x11)	Zugriffszeit	25ns

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Nach dem Verkauf
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