HN3C10FUTE85LF

Toshiba Semiconductor and Storage

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Produktübersicht

Artikelnummer:	HN3C10FUTE85LF
Hersteller / Marke:	Toshiba Semiconductor and Storage
Produktbeschreibung	TRANSISTOR NPN US6
Datenblätte:
RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Zustand des Lagers	170500 pcs stock
Liefern von	Hongkong
Versandweg	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 170500 pcs

Referenzpreis (in US-Dollar)

1 pcs: $0.225

10 pcs: $0.188

25 pcs: $0.165

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Spezifikationen von HN3C10FUTE85LF

Artikelnummer	HN3C10FUTE85LF	Hersteller	Toshiba Semiconductor and Storage
Beschreibung	TRANSISTOR NPN US6	Bleifreier Status / RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge	170500 pcs	Datenblatt
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max)	12V	Transistor-Typ	2 NPN (Dual)
Supplier Device-Gehäuse	US6	Serie	-
Leistung - max	200mW	Verpackung	Cut Tape (CT)
Verpackung / Gehäuse	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	Andere Namen	HN3C10FUTE85LFCT
Betriebstemperatur	-	Rauschzahl (dB Typ @ f)	1.1dB @ 1GHz
Befestigungsart	Surface Mount	Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status	Lead free / RoHS Compliant	Gewinnen	11.5dB
Frequenz - Übergang	7GHz	detaillierte Beschreibung	RF Transistor 2 NPN (Dual) 12V 80mA 7GHz 200mW Surface Mount US6
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE	80 @ 20mA, 10V	Strom - Kollektor (Ic) (max)	80mA

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Nach dem Verkauf
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