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RN1102T5LFT

Toshiba Semiconductor and StorageToshiba Semiconductor and Storage
RN1102T5LFT Image
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Produktübersicht

Artikelnummer: RN1102T5LFT
Hersteller / Marke: Toshiba Semiconductor and Storage
Produktbeschreibung TRANS PREBIAS NPN 0.1W SSM
Datenblätte: RN1102T5LFT.pdf
RoHS Status Bleifrei / RoHS-konform
Zustand des Lagers 226510 pcs stock
Liefern von Hongkong
Versandweg DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS
In Stock 226510 pcs
Referenzpreis (in US-Dollar)
1 pcs
$0.148
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$0.133
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Spezifikationen von RN1102T5LFT

Artikelnummer RN1102T5LFT Hersteller Toshiba Semiconductor and Storage
Beschreibung TRANS PREBIAS NPN 0.1W SSM Bleifreier Status / RoHS Status Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge 226510 pcs Datenblatt RN1102T5LFT.pdf
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 50V VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 250µA, 5mA
Transistor-Typ NPN - Pre-Biased Supplier Device-Gehäuse SSM
Serie - Widerstand - Emitterbasis (R2) 10 kOhms
Widerstand - Basis (R1) 10 kOhms Leistung - max 100mW
Verpackung Cut Tape (CT) Verpackung / Gehäuse SC-75, SOT-416
Andere Namen RN1102T5LFTCT Befestigungsart Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) 1 (Unlimited) Bleifreier Status / RoHS-Status Lead free / RoHS Compliant
Frequenz - Übergang 250MHz detaillierte Beschreibung Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 250MHz 100mW Surface Mount SSM
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE 50 @ 10mA, 5V Strom - Collector Cutoff (Max) 500nA
Strom - Kollektor (Ic) (max) 100mA

Lieferung

★ KOSTENLOSER VERSAND ÜBER DHL / FEDEX / UPS BEI BESTELLUNG ÜBER 1.000 USD.
(NUR FÜR integrierte Schaltungen, Schaltungsschutz, HF / ZF und RFID, Optoelektronik, Sensoren, Wandler, Transformatoren, Isolatoren, Schalter, Relais)

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