RN1118MFV,L3F

Toshiba Semiconductor and Storage

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Produktübersicht

Artikelnummer:	RN1118MFV,L3F
Hersteller / Marke:	Toshiba Semiconductor and Storage
Produktbeschreibung	X34 PB-F VESM TRANSISTOR PD 150M
Datenblätte:	RN1118MFV,L3F.pdf
RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Zustand des Lagers	3479227 pcs stock
Liefern von	Hongkong
Versandweg	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 3479227 pcs

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Spezifikationen von RN1118MFV,L3F

Artikelnummer	RN1118MFV,L3F	Hersteller	Toshiba Semiconductor and Storage
Beschreibung	X34 PB-F VESM TRANSISTOR PD 150M	Bleifreier Status / RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge	3479227 pcs	Datenblatt	RN1118MFV,L3F.pdf
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max)	50V	VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic	300mV @ 250µA, 5mA
Transistor-Typ	NPN - Pre-Biased	Supplier Device-Gehäuse	VESM
Serie	-	Widerstand - Emitterbasis (R2)	10 kOhms
Widerstand - Basis (R1)	47 kOhms	Leistung - max	150mW
Verpackung / Gehäuse	SOT-723	Andere Namen	RN1118MFVL3F
Befestigungsart	Surface Mount	Bleifreier Status / RoHS-Status	Lead free / RoHS Compliant
Frequenz - Übergang	250MHz	detaillierte Beschreibung	Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 250MHz 150mW Surface Mount VESM
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE	50 @ 10mA, 5V	Strom - Collector Cutoff (Max)	500nA
Strom - Kollektor (Ic) (max)	100mA

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