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RN1901FETE85LF

Toshiba Semiconductor and StorageToshiba Semiconductor and Storage
RN1901FETE85LF Image
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Produktübersicht

Artikelnummer: RN1901FETE85LF
Hersteller / Marke: Toshiba Semiconductor and Storage
Produktbeschreibung TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6
Datenblätte: RN1901FETE85LF.pdf
RoHS Status Bleifrei / RoHS-konform
Zustand des Lagers 246584 pcs stock
Liefern von Hongkong
Versandweg DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS
In Stock 246584 pcs
Referenzpreis (in US-Dollar)
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Spezifikationen von RN1901FETE85LF

Artikelnummer RN1901FETE85LF Hersteller Toshiba Semiconductor and Storage
Beschreibung TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6 Bleifreier Status / RoHS Status Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge 246584 pcs Datenblatt RN1901FETE85LF.pdf
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 50V VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 250µA, 5mA
Transistor-Typ 2 NPN - Pre-Biased (Dual) Supplier Device-Gehäuse ES6
Serie - Widerstand - Emitterbasis (R2) 4.7 kOhms
Widerstand - Basis (R1) 4.7 kOhms Leistung - max 100mW
Verpackung Cut Tape (CT) Verpackung / Gehäuse SOT-563, SOT-666
Andere Namen RN1901FETE85LFCT Befestigungsart Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) 1 (Unlimited) Bleifreier Status / RoHS-Status Lead free / RoHS Compliant
Frequenz - Übergang 250MHz detaillierte Beschreibung Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 100mW Surface Mount ES6
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE 30 @ 10mA, 5V Strom - Collector Cutoff (Max) 100nA (ICBO)
Strom - Kollektor (Ic) (max) 100mA

Lieferung

★ KOSTENLOSER VERSAND ÜBER DHL / FEDEX / UPS BEI BESTELLUNG ÜBER 1.000 USD.
(NUR FÜR integrierte Schaltungen, Schaltungsschutz, HF / ZF und RFID, Optoelektronik, Sensoren, Wandler, Transformatoren, Isolatoren, Schalter, Relais)

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DHL www.DHL.com Die Grundgebühr für den Versand von 35,00 $ hängt von der Zone und dem Land ab.
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