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TK28N65W,S1F

Toshiba Semiconductor and StorageToshiba Semiconductor and Storage
TK28N65W,S1F Image
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Produktübersicht

Artikelnummer: TK28N65W,S1F
Hersteller / Marke: Toshiba Semiconductor and Storage
Produktbeschreibung MOSFET N-CH 650V 27.6A TO247
Datenblätte: TK28N65W,S1F.pdf
RoHS Status Bleifrei / RoHS-konform
Zustand des Lagers 12530 pcs stock
Liefern von Hongkong
Versandweg DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS
In Stock 12530 pcs
Referenzpreis (in US-Dollar)
1 pcs
$2.308
30 pcs
$1.854
120 pcs
$1.689
510 pcs
$1.368
1020 pcs
$1.154
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Spezifikationen von TK28N65W,S1F

Artikelnummer TK28N65W,S1F Hersteller Toshiba Semiconductor and Storage
Beschreibung MOSFET N-CH 650V 27.6A TO247 Bleifreier Status / RoHS Status Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge 12530 pcs Datenblatt TK28N65W,S1F.pdf
VGS (th) (Max) @ Id 3.5V @ 1.6mA Vgs (Max) ±30V
Technologie MOSFET (Metal Oxide) Supplier Device-Gehäuse TO-247
Serie DTMOSIV Rds On (Max) @ Id, Vgs 110 mOhm @ 13.8A, 10V
Verlustleistung (max) 230W (Tc) Verpackung Tube
Verpackung / Gehäuse TO-247-3 Andere Namen TK28N65W,S1F(S
TK28N65WS1F
Betriebstemperatur 150°C (TJ) Befestigungsart Through Hole
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) 1 (Unlimited) Bleifreier Status / RoHS-Status Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 3000pF @ 300V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 75nC @ 10V
Typ FET N-Channel FET-Merkmal -
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V Drain-Source-Spannung (Vdss) 650V
detaillierte Beschreibung N-Channel 650V 27.6A (Ta) 230W (Tc) Through Hole TO-247 Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 27.6A (Ta)

Lieferung

★ KOSTENLOSER VERSAND ÜBER DHL / FEDEX / UPS BEI BESTELLUNG ÜBER 1.000 USD.
(NUR FÜR integrierte Schaltungen, Schaltungsschutz, HF / ZF und RFID, Optoelektronik, Sensoren, Wandler, Transformatoren, Isolatoren, Schalter, Relais)

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