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Toshiba Semiconductor and Storage
| Artikelnummer | TK35A08N1,S4X | Hersteller | Toshiba Semiconductor and Storage |
|---|---|---|---|
| Beschreibung | MOSFET N-CH 80V 35A TO-220 | Bleifreier Status / RoHS Status | Bleifrei / RoHS-konform |
| Verfügbare Menge | 77039 pcs | Datenblatt | TK35A08N1,S4X.pdf |
| VGS (th) (Max) @ Id | 4V @ 300µA | Vgs (Max) | ±20V |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) | Supplier Device-Gehäuse | TO-220SIS |
| Serie | U-MOSVIII-H | Rds On (Max) @ Id, Vgs | 12.2 mOhm @ 17.5A, 10V |
| Verlustleistung (max) | 30W (Tc) | Verpackung | Tube |
| Verpackung / Gehäuse | TO-220-3 Full Pack | Andere Namen | TK35A08N1,S4X(S TK35A08N1,S4X-ND TK35A08N1S4X |
| Betriebstemperatur | 150°C (TJ) | Befestigungsart | Through Hole |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) | 1 (Unlimited) | Bleifreier Status / RoHS-Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1700pF @ 40V | Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 25nC @ 10V |
| Typ FET | N-Channel | FET-Merkmal | - |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V | Drain-Source-Spannung (Vdss) | 80V |
| detaillierte Beschreibung | N-Channel 80V 35A (Tc) 30W (Tc) Through Hole TO-220SIS | Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 35A (Tc) |
| FEDEX | www.FedEx.com | Die Grundgebühr für den Versand von 35,00 $ hängt von der Zone und dem Land ab. |
|---|---|---|
| DHL | www.DHL.com | Die Grundgebühr für den Versand von 35,00 $ hängt von der Zone und dem Land ab. |
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| TNT | www.TNT.com | Die Grundgebühr für den Versand von 35,00 $ hängt von der Zone und dem Land ab. |
