TPH5R906NH,L1Q

Toshiba Semiconductor and Storage

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Produktübersicht

Artikelnummer:	TPH5R906NH,L1Q
Hersteller / Marke:	Toshiba Semiconductor and Storage
Produktbeschreibung	MOSFET N CH 60V 28A 8-SOP ADV
Datenblätte:	TPH5R906NH,L1Q.pdf
RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Zustand des Lagers	46524 pcs stock
Liefern von	Hongkong
Versandweg	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 46524 pcs

Referenzpreis (in US-Dollar)

1 pcs: $0.65

10 pcs: $0.588

100 pcs: $0.473

500 pcs: $0.368

1000 pcs: $0.305

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Spezifikationen von TPH5R906NH,L1Q

Artikelnummer	TPH5R906NH,L1Q	Hersteller	Toshiba Semiconductor and Storage
Beschreibung	MOSFET N CH 60V 28A 8-SOP ADV	Bleifreier Status / RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge	46524 pcs	Datenblatt	TPH5R906NH,L1Q.pdf
VGS (th) (Max) @ Id	4V @ 300µA	Vgs (Max)	±20V
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Supplier Device-Gehäuse	8-SOP Advance (5x5)
Serie	U-MOSVIII-H	Rds On (Max) @ Id, Vgs	5.9 mOhm @ 14A, 10V
Verlustleistung (max)	1.6W (Ta), 57W (Tc)	Verpackung	Original-Reel®
Verpackung / Gehäuse	8-PowerVDFN	Andere Namen	TPH5R906NHL1QDKR
Betriebstemperatur	150°C (TJ)	Befestigungsart	Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	1 (Unlimited)	Bleifreier Status / RoHS-Status	Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	3100pF @ 30V	Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	38nC @ 10V
Typ FET	N-Channel	FET-Merkmal	-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	10V	Drain-Source-Spannung (Vdss)	60V
detaillierte Beschreibung	N-Channel 60V 28A (Ta) 1.6W (Ta), 57W (Tc) Surface Mount 8-SOP Advance (5x5)	Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	28A (Ta)

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